1月11日，瑞薩電子與氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”）于宣布雙方已達成最終協(xié)議。

根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月10日的收盤價溢價約35%，較過去十二個月的成交量加權(quán)平均價格溢價約56%，較過去六個月的成交量加權(quán)平均價格溢價約78%。此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。

據(jù)披露，Transphorm董事會已一致批準(zhǔn)最終協(xié)議，并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準(zhǔn)合并。在簽署最終協(xié)議的同時，持有Transphorm約38.6%已發(fā)行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協(xié)議以支持本次交易。

該交易預(yù)計將于2024年下半年完成，但需獲得Transphorm股東的批準(zhǔn)、監(jiān)管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。

資料顯示，Transphorm為高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計和制造高性能和高可靠性的GaN半導(dǎo)體，擁有超過1000項自有或許可專利的功率GaN IP產(chǎn)品組合，生產(chǎn)業(yè)界首款符合JEDEC和AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的高壓GaN半導(dǎo)體器件。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子技術(shù)突破了硅的限制，實現(xiàn)了超過99%的效率、提高了50%的功率密度并降低了20%的系統(tǒng)成本。Transphorm總部位于加利福尼亞州戈利塔，并在日本會津和戈利塔設(shè)有制造工廠。

瑞薩電子表示，此次收購將為公司提供GaN（功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料）的內(nèi)部技術(shù)，從而擴展其在電動汽車、計算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業(yè)務(wù)范圍。

據(jù)悉，瑞薩電子將采用Transphorm的汽車級GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業(yè)和消費應(yīng)用的解決方案。

作為碳中和的基石，對高效電力系統(tǒng)的需求正在不斷增加。為了應(yīng)對這一趨勢，相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的寬禁帶（WBG）材料過渡。這些先進材料比傳統(tǒng)硅基器件具備更廣泛的電壓和開關(guān)頻率范圍。在此勢頭下，瑞薩電子已宣布建立一條內(nèi)部SiC生產(chǎn)線，并簽署了為期10年的SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議。

碳化硅方面，TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。并預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源。

而GaN功率元件市場的發(fā)展主要由消費電子所驅(qū)動，核心仍在于快速充電器，其他消費電子場景還包括D類音頻、無線充電等。此前業(yè)界人士認(rèn)為，氮化鎵已經(jīng)到了一個新的拐點，不僅可以應(yīng)用于充電器快充市場，還可以用于儲能、充電站等領(lǐng)域。

據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導(dǎo)體市場分析報告 - Part1》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達65%。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)