11月2日，日廠MinebeaMitsumi宣布，將收購日立制作所（Hitachi）旗下功率半導(dǎo)體事業(yè)公司日立功率半導(dǎo)體（Hitachi Power Semiconductor Device，HPSD），強(qiáng)化功率半導(dǎo)體事業(yè)。

HPSD是日立100%出資子公司，而MinebeaMitsumi目標(biāo)收購HPSD所有股權(quán)，不過MinebeaMitsumi未透露具體的收購時(shí)間表和收購額規(guī)模。截至公布日前，MinebeaMitsumi已與日立公司簽訂股份購買協(xié)議。

另據(jù)日媒指出，MinebeaMitsumi目標(biāo)在2023年度內(nèi)（2024年3月底前）取得HPSD所有股權(quán)，收購額預(yù)估為400億日元左右。MinebeaMitsumi包含功率半導(dǎo)體在內(nèi)的模擬芯片業(yè)務(wù)被定位為該公司的核心業(yè)務(wù)之一，目標(biāo)在2030年度將模擬芯片業(yè)務(wù)營收規(guī)模自現(xiàn)行的800億日元提高至3000億日元。

功率半導(dǎo)體的需求不僅與電動(dòng)汽車有關(guān)，在GX（綠色轉(zhuǎn)型）、風(fēng)能和太陽能等可再生能源，電力和電網(wǎng)、鐵路等大型運(yùn)輸設(shè)備，在重離子放射治療和MRI、以及工業(yè)和機(jī)械設(shè)備等醫(yī)療和保健應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心等各個(gè)領(lǐng)域都在增長。

除了大眾市場(chǎng)外，MinebeaMitsumi表示，希望通過利用其在利基市場(chǎng)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)顯著的協(xié)同效應(yīng)，并通過模擬半導(dǎo)體業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)超過3000億日元的增長。

從日本來看，MinebeaMitsumi的同業(yè)競(jìng)爭對(duì)手還有瑞薩電子（Renesas Electronics）、東芝半導(dǎo)體旗下子公司“東芝電子元件及儲(chǔ)存設(shè)備（Toshiba Electronic Devices & Storage）”等企業(yè)。

據(jù)日經(jīng)新聞7月報(bào)道，MinebeaMitsumi會(huì)長貝沼由久在札幌市接受專訪時(shí)稱，計(jì)劃倍增位于北海道千歲市的模擬芯片工廠“千歲事業(yè)所”產(chǎn)能，投資額規(guī)模上看1000億日元。以6英寸晶圓換算、目前MinebeaMitsumi北海道模擬芯片月產(chǎn)能約4萬片。并表示，千歲事業(yè)所除了將增產(chǎn)IGBT產(chǎn)品外、今后也將生產(chǎn)采用碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，投資額將逼近1000億日元的規(guī)模。

瑞薩電子社長兼CEO柴田英利曾表示，將自今年起開始投資SiC功率半導(dǎo)體、目標(biāo)在2025年開始進(jìn)行量產(chǎn)，將利用旗下目前已生產(chǎn)硅制功率半導(dǎo)體的高崎工廠的6英寸晶圓產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)，主因隨著電動(dòng)車(EV)普及、帶動(dòng)節(jié)能性能優(yōu)異的SiC功率半導(dǎo)體今后需求有望顯著增長。除了SiC外，瑞薩也將對(duì)現(xiàn)行EV采用的硅制IGBT等功率半導(dǎo)體進(jìn)行積極投資，于2014年關(guān)閉的甲府工廠預(yù)計(jì)將在2024年上半年重新啟用、將生產(chǎn)硅制功率半導(dǎo)體。

另據(jù)TrendForce集邦咨詢分析2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長41.4%，并預(yù)估至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)