9月15日，東科半導體（安徽）股份有限公司（以下簡稱“東科半導體”）與北京大學共同組建的第三代半導體聯合研發(fā)中心正式揭牌成立。

東科半導體指出，北大-東科第三代半導體聯合研發(fā)中心將瞄準國家和產業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以第三代半導體氮化鎵關鍵核心技術和重大應用研發(fā)為核心使命，重點突破材料、器件、工藝技術瓶頸，增強東科半導體在第三代半導體技術上的創(chuàng)新能力和市場主導力。

資料顯示，東科半導體是國內為數不多的集研發(fā)、設計、生產、銷售為一體的集成電路科技創(chuàng)新型企業(yè)，公司采用市場少有的“Fabless+封測”的經營模式，在具備自主芯片設計能力的同時，擁有自主封測能力。目前，公司設立有4個研發(fā)中心，分別位于深圳、無錫、馬鞍山、青島，以及一個封測基地。

隨著氮化鎵技術的不斷突破與完善，下游新的應用市場規(guī)模將不斷爆發(fā)，同時氮化鎵作為第三代半導體，其優(yōu)異特性將成為提升下游產品性能、降本增效、可持續(xù)綠色發(fā)展的關鍵技術之一。

封面圖片來源：拍信網