近期，蘇州晶湛半導體有限公司發(fā)生工商變更，新增合肥建晶股權投資合伙企業(yè)(有限合伙)、蔚來資本旗下合肥蔚來產業(yè)發(fā)展股權投資合伙企業(yè)(有限合伙)等為股東，同時公司注冊資本由約7459萬人民幣增至約7691萬人民幣。

晶湛半導體是一家提供GaN外延解決方案的專業(yè)外延代工商。在電力電子方面，主要提供各種不同尺寸硅晶圓上GaN HEMT外延片，廣泛涵蓋了200V, 650V, 1200V甚至更高壓的應用場景，并能提供耗盡型（D-mode）與增強型（E-mode）兩種外延結構。

資料顯示，氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強等優(yōu)勢，可以滿足各種應用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求，因此受到了資本市場密切關注。

當前，氮化鎵的應用已經不再局限于快充等消費電子市場，而是向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車市場持續(xù)推進。

據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調查顯示，到2026年，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到13.3億美金，復合增長率高達65%。

強大的市場需求下，包括英飛凌、DB Hi-Tech、三安光電、華潤微等眾多半導體廠商開始擴充生產線，布局氮化鎵市場。未來，氮化鎵成長空間廣闊。

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