據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,到2026年,全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到13.3億美金,復(fù)合增長率高達(dá)65%。
氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強等優(yōu)勢,可以滿足各種應(yīng)用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求,因此受到了市場關(guān)注。近期,“后起之秀”氮化鎵再帶來了新消息。
8月3日,意法半導(dǎo)體官微宣布,公司最近已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。
據(jù)介紹,STPOWER™ GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管,提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應(yīng)用的性能。
該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關(guān)G-HEMT™晶體管,采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝,額定電流分別為15A和25A,在25°C時的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。
接下來幾個月內(nèi),意法半導(dǎo)體還將推出新款PowerGaN產(chǎn)品,即車規(guī)器件,以及更多的功率封裝形式,包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝。
據(jù)江蘇七都鎮(zhèn)媒體報道,7月31日,2023年長三角生態(tài)綠色一體化發(fā)展示范區(qū)開發(fā)者大會在上海青浦區(qū)舉辦。
會上,七都鎮(zhèn)政府與納安半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司就氮化鎵單晶襯底項目進行簽約。該項目占地1500平方米,總投資1.2億元,投產(chǎn)后年產(chǎn)值在5億元以上。
納安半導(dǎo)體從事氮化鎵晶片研究和產(chǎn)業(yè)化研發(fā)工作已有10余年,掌握了先進生產(chǎn)技術(shù)的整套工藝,并處于國際先進水平,目前該技術(shù)正轉(zhuǎn)向規(guī)?;慨a(chǎn)。
7月26日,美國電子電力制造商Bel Fuse宣布,他們將擴展 EOS Power 系列產(chǎn)品,新增2款型號器件,這些器件專為醫(yī)療應(yīng)用而設(shè)計,采用新型高效氮化鎵技術(shù)。
兩款產(chǎn)品分別為MEPG300、MEPG500,輸出功率依次為高達(dá)300W、500W的,兩者功率損耗極小、易于熱管理且效率高達(dá)94%,可應(yīng)用于治療設(shè)備、病床、成像設(shè)備、監(jiān)控和手術(shù)設(shè)備、診斷和透析設(shè)備、藥泵、家庭保健和超聲波。
7月26日,臺亞半導(dǎo)體召開法說會,透露氮化鎵進展。
在氮化鎵方面,產(chǎn)線承載過往硅功率元件的制程環(huán)境與技術(shù)經(jīng)驗,并購入專為氮化鎵生產(chǎn)的有機金屬化學(xué)氣相沉積磊晶(MOCVD)等設(shè)備,已順利試產(chǎn)首顆符合D-mode 650V氮化鎵功率元件,在動、靜態(tài)方面參數(shù)都可以達(dá)到業(yè)界標(biāo)準(zhǔn),后續(xù)待客戶驗證完畢后,可望提供產(chǎn)品代工服務(wù)。
關(guān)于碳化硅、氮化鎵投資方面,臺亞預(yù)計未來新廠建置也是為了化合物半導(dǎo)體所建,目前規(guī)劃未來碳化硅及氮化鎵月產(chǎn)約近5000片,但此量額遠(yuǎn)不及未來電車與新能源市場需求,臺亞集團已開始規(guī)劃未來三年擴廠計劃,爭取4公頃銅鑼區(qū)用地建置新廠,擴大碳化硅、氮化鎵等生產(chǎn)線。
封面圖片來源:拍信網(wǎng)