7月19日，全球半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM Semiconductor）在深圳召開媒體交流會(huì)。會(huì)上，羅姆宣布已開發(fā)出EcoGaN^TM Power Stage IC “BM3G0xxMUX-LB”，面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源。

圖片來源：羅姆

據(jù)羅姆介紹，新產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅(qū)動(dòng)器、新增功能以及外圍元器件。功耗方面，與現(xiàn)有的Si MOSFET相比，新產(chǎn)品器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，有助于減少服務(wù)器和AC適配器的體積或損耗。

外形上，新產(chǎn)品為VQFN封裝，8x8mm，厚度是1毫米的IC，一體化的封裝。在元器件數(shù)量上，普通產(chǎn)品是9個(gè)相關(guān)元器件，而羅姆新產(chǎn)品將驅(qū)動(dòng)方式進(jìn)一步簡(jiǎn)化，外置Power Stage相關(guān)元器件只需1個(gè)，有助于應(yīng)用產(chǎn)品的小型化。

電壓方面， 新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動(dòng)電壓范圍(2.5V~30V)，擁有支持一次側(cè)電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現(xiàn)有的Si MOSFET。目前，新產(chǎn)品有兩款，分別是BM3G007MUV-LB、BM3G015MUV-LB，導(dǎo)通電阻分別是70毫歐和150毫歐。

此外，還備有三款評(píng)估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用來評(píng)估芯片的整體方案性能，另外兩款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客戶現(xiàn)有方案進(jìn)行測(cè)試。

羅姆表示，新產(chǎn)品已于2023年6月開始量產(chǎn)（樣品價(jià)格4000日元/個(gè)，不含稅）。另外，新產(chǎn)品及對(duì)應(yīng)的三款評(píng)估板 (BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003 、 BM3G015MUV-EVK-003) 已開始網(wǎng)售，在Ameya360等電商平臺(tái)可購買。

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料，與普通的半導(dǎo)體材料——Si（硅）相比具有更優(yōu)異的物理性能，并憑借出色的高頻特性，成為第三代半導(dǎo)體材料代表物之一。羅姆認(rèn)為，目前氮化鎵應(yīng)用最多的領(lǐng)域在快充、小型筆記本電腦等，今后可能會(huì)擴(kuò)展到車載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源、分布式電源等應(yīng)用。

2006年，羅姆開始了氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)歷程，該公司于2021年確立了150V GaN器件技術(shù)，普通氮化鎵產(chǎn)品是6V耐壓，羅姆的氮化鎵產(chǎn)品達(dá)到了8V，后于2023年4月開始量產(chǎn)650V耐壓產(chǎn)品，并于2023年7月發(fā)布了這款650V Power Stage IC。

據(jù)悉，EcoGaN^TM是羅姆專門為氮化鎵器件申請(qǐng)的商標(biāo)。羅姆將有助于應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化的氮化鎵器件命名為“EcoGaN^TM”系列。

羅姆透露稱，今后，公司將不斷改進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和控制技術(shù)與EcoGaN^TM系列GaN器件相結(jié)合，便于客戶選擇。關(guān)于Power Stage IC下一代機(jī)型，準(zhǔn)偕振AC-DC+GaN的器件預(yù)計(jì)在2024年一季度量產(chǎn)，功率因數(shù)改善+GaN的器件也是2024年第一季度量產(chǎn)，半橋+GaN的器件預(yù)計(jì)在2024年第二季度量產(chǎn)。

封面圖片來源：羅姆