據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)主要晶圓代工廠商?hào)|部高科（DB HiTek）正加快碳化硅功率半導(dǎo)體制造工藝開(kāi)發(fā)，最早有望在明年啟動(dòng)8英寸工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)。

報(bào)道稱(chēng)，東部高科目前正同步推進(jìn)碳化硅和氮化鎵工藝研發(fā)，氮化鎵的8英寸工藝開(kāi)發(fā)已經(jīng)鋪開(kāi)，計(jì)劃在2-3年內(nèi)完成，而碳化硅方面，該公司目前正開(kāi)展6英寸工藝研發(fā)。

報(bào)道還透露，東部高科最早將于明年利用其生產(chǎn)基地閑置場(chǎng)地部署8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體制造設(shè)備，相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，該公司看好碳化硅前景，將通過(guò)外包等手段解決相關(guān)設(shè)備的供應(yīng)問(wèn)題。

與傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體相比，碳化硅由于寬帶隙、耐高溫等特性，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域被認(rèn)為有重大潛力，目前在電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)等領(lǐng)域已得到規(guī)模應(yīng)用，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，隨著越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車(chē)用SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4 億美元。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)