隨著新能源汽車的加速滲透，車用芯片需求不斷上升。當(dāng)下部分車規(guī)芯片需求短缺情況得到有效緩解，但值得注意的是，以IGBT為主的功率半導(dǎo)體卻依舊緊缺。

據(jù)悉，功率半導(dǎo)體是處理較高電壓的半導(dǎo)體器件，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。近期多家企業(yè)聚焦功率半導(dǎo)體需求，動態(tài)頻頻。

瑞薩電子將向中國電動車企業(yè)提供新一代功率半導(dǎo)體

據(jù)外媒消息，日本瑞薩電子將為中國純電動汽車企業(yè)提供新一代車用芯片及服務(wù)，包括功率半導(dǎo)體和MCU相關(guān)軟件。

8月30日，該公司啟動了將電力損耗比此前產(chǎn)品降低1成的逆變器用功率半導(dǎo)體的樣品供貨。還將提供與微控制單元（MCU）等其他半導(dǎo)體零部件結(jié)合的參考設(shè)計和軟件，以獲取研發(fā)速度快的中國企業(yè)等的需求。

此外，官方資料顯示，瑞薩已經(jīng)啟動了新一代的硅制IGBT的樣品供貨，該產(chǎn)品技術(shù)原理是將電池和馬達(dá)結(jié)合起來，可作用于電力轉(zhuǎn)換和馬達(dá)控制的逆變器的核心零部件。技術(shù)方面，新一代的硅制IGBT在尺寸縮減10%的同時，還將電力損耗也減少了10％。此外，這款產(chǎn)品還兼顧了耐用性與功率，并降低各元件發(fā)生的性能偏差，在并聯(lián)后使用時能穩(wěn)定運(yùn)行。

據(jù)悉，瑞薩電子決定自2023年上半年起在茨城縣那珂工廠量產(chǎn)該產(chǎn)品，2024年上半年起在山梨縣甲府工廠生產(chǎn)該產(chǎn)品。

東部高科發(fā)力功率半導(dǎo)體代工市場，推出0.13微米BCD工藝平臺

近期，晶圓代工企業(yè)東部高科（DB HiTek）宣布推出0.13微米120V BCD工藝平臺，并將拓展更高附加值的汽車和工業(yè)用功率半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。

官方表示，高壓BCD特色工藝突破后，東部高科將能夠面向移動設(shè)備、家用電器、顯示器、汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域應(yīng)用提供全面的功率半導(dǎo)體代工服務(wù)。據(jù)悉，東部高科其OTP芯片等產(chǎn)品已獲得AEC-Q100最嚴(yán)苛的0級標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，該公司計劃在今年年底開始向客戶提供功率半導(dǎo)體DTI（深槽隔離）方案選項。

東微半導(dǎo)積極布局第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，SiC研發(fā)項目穩(wěn)步推進(jìn)

近期，在接受投資者調(diào)研時稱，東微半導(dǎo)表示，公司在高壓超級結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET及TGBT產(chǎn)品領(lǐng)域積極進(jìn)行新一代技術(shù)開發(fā)，有序推進(jìn)產(chǎn)品從8英寸轉(zhuǎn)12英寸的工藝平臺拓展工作。

在IGBT產(chǎn)品領(lǐng)域，公司加強(qiáng)對自有知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)Tri-gateIGBT技術(shù)研發(fā)力度，產(chǎn)品順利通過多個客戶驗證并被批量使用，迅速實現(xiàn)了高性能 IGBT 產(chǎn)品的國產(chǎn)化替代。公司第二代Tri-gateIGBT技術(shù)開發(fā)成功，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升。同時，公司積極布局第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，SiC研發(fā)項目穩(wěn)步推進(jìn)。

日立功率半導(dǎo)體擬投資超1000億日元，將功率半導(dǎo)體產(chǎn)能增至3倍

近日，據(jù)外媒消息，日立功率半導(dǎo)體公司計劃投資超1000億日元，將用于電動汽車和電器等產(chǎn)品的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高至3倍。到2027年，日立功率半導(dǎo)體公司將提高臨海和山梨工廠以及一家承包工廠的產(chǎn)量。

公開資料顯示，今年3月，日立能源與恩智浦宣布合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動交通領(lǐng)域的采用，為汽車動力總成逆變器開發(fā)更高效、更可靠且功能更安全的SiC MOSFET解決方案，包括恩智浦的GD3160單通道隔離式高壓柵極驅(qū)動器以及日立的RoadPak車用SiC MOSFET功率模塊。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)