9月5日，日本昭和電工（SDK）宣布，基于其單晶SiC襯底生產(chǎn)的8英寸SiC外延片樣品已經(jīng)開(kāi)始出貨，主要用于SiC功率半導(dǎo)體器件。

據(jù)悉，SiC功率半導(dǎo)體目前主要在6英寸SiC外延片上制備，但實(shí)際上，外延片尺寸越大，廠商能夠生產(chǎn)的功率半導(dǎo)體芯片就越多。因此，器件制造商希望可以導(dǎo)入更大尺寸的SiC外延片，以提升器件生產(chǎn)效率，同時(shí)降低成本。

為應(yīng)對(duì)這一市場(chǎng)需求，昭和電工自2021年開(kāi)始加快8英寸SiC外延片的開(kāi)發(fā)工作，如今，基于其單晶SiC襯底生長(zhǎng)的8英寸SiC外延片樣品成功實(shí)現(xiàn)出貨。

目前，昭和電工在全球SiC外延片領(lǐng)域的市場(chǎng)份額依舊領(lǐng)先，未來(lái)，集團(tuán)的目標(biāo)是進(jìn)一步加大8英寸外延片的產(chǎn)量，建立穩(wěn)定的生產(chǎn)系統(tǒng)。與此同時(shí)，昭和電工在SiC襯底方面的布局采取供應(yīng)鏈多元化的策略。

一方面，昭和電工保持向合作伙伴采購(gòu)SiC襯底，另一方面，自主開(kāi)發(fā)單晶SiC襯底，保障上游材料產(chǎn)能的同時(shí)，改善產(chǎn)品質(zhì)量。

昭和電工表示，SiC功率半導(dǎo)體的性能很大程度取決于SiC外延片的質(zhì)量，因此，廠商需要確保SiC外延片具備低表面缺陷密度以及穩(wěn)定的質(zhì)量。

值得注意的是，昭和電工一直在推進(jìn)“下一代綠色功率半導(dǎo)體SiC晶圓技術(shù)項(xiàng)目”，并將持續(xù)開(kāi)展研究和開(kāi)發(fā)工作，目標(biāo)是開(kāi)發(fā)8英寸SiC外延片，并在2030年前將缺陷密度降低一位數(shù)或更多。

據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，“下一代綠色功率半導(dǎo)體SiC晶圓技術(shù)項(xiàng)目”是““下一代功率半導(dǎo)體SiC晶圓技術(shù)項(xiàng)目”的一部分，該項(xiàng)目由日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）主導(dǎo)，是“下一代數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)項(xiàng)目”的研發(fā)目標(biāo)。

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