4月27日，捷捷微電在投資者互動平臺表示，公司南通“高端功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項目”建設(shè)用地位于南通市蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)，是配套無錫和上海MOSFET團隊，目前項目（一期）正在基礎(chǔ)設(shè)施及配套等建設(shè)的最后階段，計劃今年第三季度開始試生產(chǎn)。該項目將有助于推動高端功率半導(dǎo)體發(fā)展，滿足下游市場需求，擴大市場占有率，緩解MOSFET產(chǎn)能緊張的問題等。

此外，二期項目也提上日程。4月25日，江蘇捷捷微電子股份有限公司發(fā)布公告稱，董事會會議同意公司在控股子公司捷捷（南通）科技有限公司建設(shè)“高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目（二期）”，總投資約6.5億元。

公告顯示，本項目在“高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目”的基礎(chǔ)設(shè)施及配套的基礎(chǔ)上，擬采用芯片線寬0.13微米先進工藝制程，新增硬件設(shè)備共68臺（套），新增軟件系統(tǒng)2套。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)