4月12日，株洲中車時代電氣發(fā)布關(guān)于自愿披露控股子公司投資碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目的公告。公告顯示，公司控股子公司株洲中車時代半導(dǎo)體擬投資4.62億元進(jìn)行碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目。

△Source：時代電氣公告截圖

1?推動第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片自主化

公告顯示，碳化硅芯片生產(chǎn)線相關(guān)項目主要對湖南省株洲市田心工業(yè)園區(qū)內(nèi)碳化硅芯片線廠房進(jìn)行改造升級，改造既有設(shè)備，新增工藝設(shè)備及工藝輔助設(shè)備，信息化軟件新增或?qū)嵤┓?wù)；裝修潔凈室，配套進(jìn)行廠務(wù)擴容，新增公用設(shè)備。

項目建成達(dá)產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。

目前，第三代半導(dǎo)體市場廣闊，集邦咨詢表示，相較于Si，SiC在高壓的系統(tǒng)中有更好的性能體現(xiàn)，有望逐步替代部分Si base設(shè)計，大幅提高汽車性能并優(yōu)化整車架構(gòu)，預(yù)估SiC功率半導(dǎo)體至2025年可達(dá)33.9億美元。

時代電氣表示，通過本項目實施，形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，并進(jìn)一步研發(fā)高性能的新產(chǎn)品，可以進(jìn)一步推進(jìn)中車時代半導(dǎo)體工藝技術(shù)進(jìn)步，提升產(chǎn)業(yè)化水平，實現(xiàn)國家第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片自主化，提升國際競爭力，保障第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展具有重要意義。

2?原有產(chǎn)線助力6英寸SiC芯片線建設(shè)

公開資料顯示，時代電氣主要從事軌道交通裝備產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售并提供相關(guān)服務(wù)，具有“器件+系統(tǒng)+整機”的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。同時，公司在功率半導(dǎo)體器件、工業(yè)變流產(chǎn)品、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、傳感器件、海工裝備等領(lǐng)域開展業(yè)務(wù)。

2021年9月7日時代電氣科創(chuàng)板上市，截至今日中午收盤，市值達(dá)618.33億。

近年來，時代電氣持續(xù)發(fā)力第三代半導(dǎo)體。3月29日，時代電氣發(fā)布2021年年報，公司主營收入151.21億元，歸母凈利潤20.18億元，其中功率半導(dǎo)體器件收入10.68億元，同比增加33.26%。

△Source：時代電氣財報截圖

公告顯示，時代電氣早在“十三五”期間，就建成了碳化硅芯片線，實現(xiàn)了在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域從無到有的突破。據(jù)時代電氣官方消息顯示，2018年年初，中車時代電氣6英寸SiC生產(chǎn)線首批芯片試制成功，該生產(chǎn)線具備了完整的SiC芯片制造生產(chǎn)能力。而此次項目是在原有產(chǎn)線上進(jìn)行改造升級，具備較好的實施基礎(chǔ)。

在技術(shù)基礎(chǔ)上，時代電氣在碳化硅器件領(lǐng)域已申請多項發(fā)明專利及發(fā)表多篇論文，并且完成了第一代技術(shù)產(chǎn)品的開發(fā)和技術(shù)積累，已形成成熟的SiC芯片產(chǎn)品“設(shè)計-制造-測試-模塊”完整能力，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車、光伏等市場領(lǐng)域均已實現(xiàn)應(yīng)用示范。 

據(jù)悉，時代電氣建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產(chǎn)業(yè)化基地，擁有芯片、模塊、組件及應(yīng)用的全套自主技術(shù)，除雙極器件和IGBT器件在輸配電、軌道交通、新能源等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用外，公司的“高性能SiC SBD、MOSFET電力電子器件產(chǎn)品研制與應(yīng)用驗證”項目已通過科技成果鑒定，實現(xiàn)了高性能SiC SBD五個代表品種和SiC MOSFET三個代表品種，部分產(chǎn)品已得到應(yīng)用。

此外，時代電氣有過多條產(chǎn)業(yè)化半導(dǎo)體生產(chǎn)線的建設(shè)經(jīng)驗，從4~6英寸大功率晶閘管生產(chǎn)線至8英寸IGBT生產(chǎn)線，技術(shù)團(tuán)隊具備豐富的項目組織經(jīng)驗與能力。

3?結(jié)語

集邦咨詢表示，現(xiàn)階段用于功率器件的N型SiC襯底仍以6英寸為主，盡管Wolfspeed等國際IDM大廠8英寸進(jìn)展超乎預(yù)期，但由于良率提升及功率晶圓廠由6英寸轉(zhuǎn)8英寸需要一定的時間周期，因此，至少未來5年內(nèi)6英寸SiC襯底都仍為主流。

時代電氣此次提升碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力既順應(yīng)了行業(yè)發(fā)展大勢，也是穩(wěn)步推進(jìn)公司第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片自主化，加速推動國產(chǎn)替代。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)