據(jù)投資界消息，半導(dǎo)體功率器件廠商安建半導(dǎo)體已于近日獲1.8億元B輪融資，募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、第三代半導(dǎo)體SiC器件開(kāi)發(fā)和IGBT模塊封測(cè)廠建設(shè)。

據(jù)悉，安建半導(dǎo)體成立于2016年，目前產(chǎn)品線已經(jīng)涵蓋大部分MOS管和IGBT產(chǎn)品，其中低電壓的SGT-MOS管、高電壓的SJ-MOS管、Field Stop Trench IGBT（場(chǎng)截止溝槽型絕緣柵雙極晶體管）三條產(chǎn)品線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

對(duì)于未來(lái)，安建半導(dǎo)體表示還將針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景還將繼續(xù)開(kāi)發(fā)不同性能和不同規(guī)格的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)功率器件所有電壓和電流全覆蓋，完成做全系列高低壓MOS管和IGBT產(chǎn)品的目標(biāo)。

同時(shí)，安建半導(dǎo)體還計(jì)劃推出車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品。官方表示，安建半導(dǎo)體正在與上海汽車(chē)商談戰(zhàn)略合作，研發(fā)應(yīng)用于其新能車(chē)的IGBT產(chǎn)品。

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