12月29日，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，聯(lián)電已通過投資聯(lián)穎，切入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。聯(lián)電計(jì)劃從6英寸氮化鎵產(chǎn)品入手，之后將展開布局碳化硅，并向8英寸晶圓發(fā)展。公司透露，第三代半導(dǎo)體制程將從CMOS轉(zhuǎn)換而來，未來將伺機(jī)擴(kuò)產(chǎn)。

聯(lián)電表示，公司早已開始布局第三代半導(dǎo)體，并且與比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）進(jìn)行技術(shù)研發(fā)合作，現(xiàn)正積極將相關(guān)技術(shù)朝平臺(tái)化發(fā)展，為IC設(shè)計(jì)業(yè)者提供標(biāo)準(zhǔn)化的技術(shù)平臺(tái)。

針對(duì)這項(xiàng)技術(shù)平臺(tái)的建立，聯(lián)電將會(huì)以提供功率、射頻元件方案為主，初期會(huì)以氮化鎵技術(shù)先行。

IMEC是全球知名獨(dú)立公共研發(fā)平臺(tái)、半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)指標(biāo)性研發(fā)機(jī)構(gòu)，英特爾、三星、臺(tái)積電、高通等均與其有合作。

目前，氮化鎵代工市場(chǎng)以臺(tái)廠布局最為積極。臺(tái)積電、世界先進(jìn)等傳統(tǒng)硅晶圓Foundry正在向這個(gè)市場(chǎng)靠攏，另外還包括X-Fab等特種工藝Foundry。

從氮化鎵功率產(chǎn)業(yè)鏈來看，目前GaN-on-Si已成為GaN功率器件主流結(jié)構(gòu)。

外延方面，全球主流GaN外延片供貨商依舊集中在歐洲國(guó)家及日本，中國(guó)企業(yè)尚未進(jìn)入供給端第一梯隊(duì)。除了純粹的外延廠以外，部分晶圓代工廠在產(chǎn)業(yè)鏈上進(jìn)行延伸，同樣具備外延能力。

器件方面，面向消費(fèi)市場(chǎng)的650V GaN產(chǎn)品已經(jīng)形成了批量供貨能力，但更高壓器件仍然較少。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，Navitas/PI/英諾賽科將占據(jù)2021年GaN功率市場(chǎng)前三名。與此同時(shí)，全球GaN功率市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2020年的4800萬美元增長(zhǎng)到2025年的13.2億美元，CAGR達(dá)94%。

從氮化鎵射頻產(chǎn)業(yè)來看，目前具備相應(yīng)技術(shù)的代工廠主要有Wolfspeed、穩(wěn)懋、宏捷科、GCS、UMS、OMMIC等。

日前，硅晶圓廠商環(huán)球晶宣布，明年將大幅擴(kuò)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體，氮化鎵及碳化硅產(chǎn)能均將翻倍增長(zhǎng)。

原標(biāo)題：從6英寸向8英寸氮化鎵發(fā)展！又一家晶圓代工龍頭進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體

封面圖片來源：拍信網(wǎng)