搶攻電動車（EV）商機、日廠忙增產(chǎn)EV用次世代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體，其中東芝傳出計劃將產(chǎn)量擴增至10倍。

日經(jīng)新聞3日報導(dǎo)，因看好來自電動車（EV）的需求將擴大，也讓東芝、羅沐等日本廠商開始相繼增產(chǎn)節(jié)能性能提升的EV用次世代半導(dǎo)體。各家日廠增產(chǎn)的對象為用來供應(yīng)\控制電力的“功率半導(dǎo)體”產(chǎn)品，不過使用的材料不是現(xiàn)行主流的硅（Si）、而是采用了碳化硅（SiC）。SiC功率半導(dǎo)體使用于EV逆變器上的話，耗電力可縮減5~8%、可提升續(xù)航距離，目前特斯拉和中國車廠已開始在部分車款上使用SiC功率半導(dǎo)體。

報導(dǎo)指出，因看好來自EV的需求有望呈現(xiàn)急速擴大，東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝電子元件及儲存裝置（Toshiba Electronic Devices & Storage）”計劃在2023年度將旗下姬路半導(dǎo)體工廠的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)量擴增至2020年度的3倍、之后計劃在2025年度進一步擴增至10倍，目標最遲在2030年度取得全球一成以上市占率。

另外，羅沐將投資500億日元、目標在2025年之前將SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高至現(xiàn)行的5倍以上。羅沐位于福岡縣筑后市的工廠內(nèi)已蓋好SiC新廠房、目標2022年啟用，中國大陸吉利汽車的EV已決定采用羅沐的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，而羅沐目標在早期內(nèi)將全球市占率自現(xiàn)行的近兩成提高至三成。

富士電機考慮將SiC功率半導(dǎo)體開始生產(chǎn)的時間自原先計劃（2025年）提前半年到1年。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)