7月2日，捷捷微電發(fā)布公告，公司董事會會議審議通過了《關(guān)于對外投資的議案》， 同意公司在全資子公司捷捷半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“捷捷半導(dǎo)體”）建設(shè)“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”，總投資5.1億元人民幣。

根據(jù)公告，功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃采用深Trench刻蝕及填充工藝、高壓等平面終端工藝。主要產(chǎn)品為快恢復(fù)二極管芯片及器件，IGBT模塊配套用高電壓大通流整流 芯片，低電容、低殘壓等保護(hù)器件芯片及器件，中高電壓功率集成芯片，平面可控硅芯片及其他芯片產(chǎn)品等。

該項(xiàng)目擬總投資 5.1 億元人民幣（分二期），其中，固定資產(chǎn)投入不低于總投資的80%，設(shè)備投入不低于固定資產(chǎn)投資的50%（包括凈化成套裝置）；項(xiàng)目由全資子公司捷捷半導(dǎo)體實(shí)施，資金來源于捷捷半導(dǎo)體自有資金；項(xiàng)目選址于蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園井岡山6號（全資子公司捷捷半導(dǎo)體），占地面積約56畝（現(xiàn)有地塊）。

捷捷微電在公告中表示，公司此次對外投資是公司的戰(zhàn)略需要，繼續(xù)深耕功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，進(jìn)一步拓展公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)符合產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)之需要，提升公司產(chǎn)能與市場份額，有利于提升公司功率半導(dǎo)體進(jìn)口替代能力和持續(xù)經(jīng)營能力、綜合實(shí)力及競爭力，有利于維護(hù)公司和全體股東的利益。

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