6月24日，龍騰半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“龍騰半導(dǎo)體”）科創(chuàng)板上市申請(qǐng)獲受理。根據(jù)招股書，龍騰半導(dǎo)體本次擬發(fā)行股份不超過3750萬股，發(fā)行股份數(shù)量占發(fā)行后總股本的比例不低于25%，擬募集資金金額11.80億元用于8英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目（一期）。

資料顯示，龍騰半導(dǎo)體成立于2009年7月，主營業(yè)務(wù)為以功率MOSFET為主的功率器件產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)及銷售，并為客戶提供系統(tǒng)解決方案。據(jù)招股書介紹，龍騰半導(dǎo)體是為國內(nèi)較早量產(chǎn)超結(jié)MOSFET、并將超結(jié)技術(shù)應(yīng)用于中低壓MOSFET產(chǎn)品的企業(yè)之一。

目前，龍騰半導(dǎo)體產(chǎn)品覆蓋了功率MOSFET分立器件主要類別，形成了超結(jié)MOSFET、平面型MOSFET、屏蔽柵溝槽MOSFET和溝槽型MOSFET四大產(chǎn)品平臺(tái)，功率器件細(xì)分型號(hào)超過 500種，涵蓋-30V至+800V電壓范圍的中低壓、高壓各產(chǎn)品系列。

值得注意的是，招股書指出，龍騰半導(dǎo)體目前主要采用Fabless經(jīng)營模式，專注于功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售環(huán)節(jié)，未來還將通過自建8英寸功率半導(dǎo)體外延片產(chǎn)線的方式，實(shí)現(xiàn)向 Fab-Lite模式的轉(zhuǎn)變。

根據(jù)招股書，基于超結(jié)MOSFET良好的市場前景，以及公司豐富的技術(shù)儲(chǔ)備，龍騰半導(dǎo)體擬投資建設(shè)“8英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目”，由西安龍威承建。項(xiàng)目年產(chǎn)8英寸硅外延片360萬片次44，其中項(xiàng)目一期投資11.8億元，形成年產(chǎn)180萬片次8英寸硅外延片；項(xiàng)目二期投資5.97億元，形成年產(chǎn)180萬片次8英寸硅外延片。

圖片來源：龍騰半導(dǎo)體招股書

龍騰半導(dǎo)體本次募投項(xiàng)目為“8英寸功率半導(dǎo)體制造項(xiàng)目（一期）”，將新建生產(chǎn)8英寸普通硅外延片和8英寸超結(jié)MOSFET外延片的產(chǎn)能，建成后公司將：

（1）采購硅襯底片等原材料，自主完成外延層生長制備，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)60萬片8英寸普通硅外延片，直接向下游晶圓代工廠銷售，可用于制造公司的平面型MOSFET、屏蔽柵溝槽MOSFET和溝槽型MOSFET晶圓；

（2）采購硅襯底片等原材料，自主完成10次外延層生長制備，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸超結(jié)MOSFET外延片，然后通過外協(xié)完成后道工序（MOS結(jié)構(gòu)制造、封裝、測試）制成超結(jié)MOSFET封裝成品，向下游應(yīng)用領(lǐng)域的客戶進(jìn)銷售。

龍騰半導(dǎo)體在招股書中表示，力爭至2025年將公司打造為更大體量規(guī)模，產(chǎn)品涵蓋20V-1800V范圍的功率半導(dǎo)體器件并在特定細(xì)分領(lǐng)域領(lǐng)先的Fab-Lite模式的半導(dǎo)體企業(yè)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)