又一家功率半導(dǎo)體廠商正式叩響科創(chuàng)板大門(mén)。6月17日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“東微半導(dǎo)體”）科創(chuàng)板上市申請(qǐng)獲受理。

招股書(shū)顯示，東微半導(dǎo)體本次擬公開(kāi)發(fā)行股數(shù)不超過(guò)約1684.41萬(wàn)股新股，不低于本次發(fā)行后公司總股本的25%。如本次發(fā)行上市采用超額配售選擇權(quán)的，行使超額配售選擇權(quán)發(fā)行的股票數(shù)量不超過(guò)本次發(fā)行上市股票數(shù)量的15%。

超級(jí)結(jié)MOSFET打破國(guó)外壟斷

資料顯示，東微半導(dǎo)體成立于2008年，是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。

報(bào)告期內(nèi)，東微半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET，廣泛應(yīng)用于以新能源汽車直流充電樁等工業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域以及PC電源等消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域，同時(shí)進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了超級(jí)硅MOSFET、TGBT等新產(chǎn)品。

據(jù)招股書(shū)介紹，東微半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)的高性能功率器件設(shè)計(jì)公司之一，并在應(yīng)用于工業(yè)級(jí)領(lǐng)域的高壓超級(jí)結(jié)和中低壓功率器件產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化替代，是少數(shù)能在超級(jí)結(jié)MOSFET領(lǐng)域突破海外技術(shù)壟斷的本土公司之一，積累了全球知名的國(guó)內(nèi)外品牌客戶群，已成為部分行業(yè)領(lǐng)先客戶認(rèn)證的國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商之一。

根據(jù)《人民日?qǐng)?bào)》報(bào)道，2016年4月，東微半導(dǎo)體推出的GreenMOS系列超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品打破了國(guó)外廠商在充電樁功率器件領(lǐng)域的壟斷地位。2019年度，東微半導(dǎo)體MOSFET器件的平均銷售單價(jià)為2.19元/顆，遠(yuǎn)高于同行業(yè)的平均單價(jià)1.19元/顆。

經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)方面，2018年、2019年、2020年，東微半導(dǎo)體的營(yíng)業(yè)收入分別為1.53億元、1.96億元、3.09億元；歸母凈利潤(rùn)分別為1,297.43萬(wàn)元、911.01萬(wàn)元、2,768.32萬(wàn)元；研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入比例分別為10.49%、6.13%、5.18%；綜合毛利率分別為26.38%、14.93%、17.85%。

截至2021年4月30日，東微半導(dǎo)體已獲授權(quán)的專利52項(xiàng)，包括境內(nèi)專利38項(xiàng)，其中發(fā)明專利37項(xiàng)、實(shí)用新型專利1項(xiàng)，以及境外專利14項(xiàng)。

獲聚源聚芯、哈勃投資等入股

作為本土功率器件主要廠商之一，東微半導(dǎo)體獲得了不少投資機(jī)構(gòu)的青睞。

截至招股書(shū)簽署日，東微半導(dǎo)體無(wú)控股股東，實(shí)際控制人為王鵬飛及龔軼，二者為公司的共同控制人。而其前十大股東陣營(yíng)中，業(yè)內(nèi)熟知的投資機(jī)構(gòu)上海聚源聚芯集成電路產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金中心（有限合伙）（以下簡(jiǎn)稱“聚源聚芯”）、哈勃科技投資有限公司（以下簡(jiǎn)稱“哈勃投資”）在列。

圖片來(lái)源：東微半導(dǎo)體招股書(shū)

根據(jù)招股書(shū)，聚源聚芯持有東微半導(dǎo)體9.95%股份，為第四大股東。聚源聚芯的第一大股東為國(guó)家大基金，國(guó)家大基金持有聚源聚芯45.09%股份；哈勃投資持有東微半導(dǎo)體6.59%股份，位列第六大股東，而前者則由華為投資控股有限公司持有100%股權(quán)，是華為旗下投資平臺(tái)。

圖片來(lái)源：東微半導(dǎo)體招股書(shū)

此外，東微半導(dǎo)體的第二大股東原點(diǎn)創(chuàng)投和第五大股東中新創(chuàng)投均為知名投資機(jī)構(gòu)元禾控股旗下投資基金。

募資9.39億元加碼功率器件

根據(jù)招股書(shū)，東微半導(dǎo)體本次首次公開(kāi)發(fā)行股票擬募集資金9.39億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后將用于投資超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目、科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金。

圖片來(lái)源：東微半導(dǎo)體招股書(shū)

其中，超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬投入募集資金金額2.04億元，將基于公司深槽超級(jí)結(jié)技術(shù)以及屏蔽柵技術(shù)的豐富積累，對(duì)高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品及中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)等方面進(jìn)行改進(jìn)和提升。

新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬投入募集資金金額1.08億元，擬在未來(lái)三年陸續(xù)推出高速率IGBT、超級(jí)硅MOSFET以及新一代高速大電流功率器件產(chǎn)品。

研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目擬投入募集資金金額1.70億元，將圍繞SiC器件、新型硅基高壓功率器件方向進(jìn)行產(chǎn)品技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)，開(kāi)發(fā)新的技術(shù)方案，增加功率器件失效性和可靠性的固 定資產(chǎn)投入，優(yōu)化實(shí)驗(yàn)環(huán)境，提升測(cè)試效率，進(jìn)一步保障產(chǎn)品質(zhì)量。

科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金擬投入募集資金金額4.57億元，隨著公司業(yè)務(wù)規(guī)模擴(kuò)張，產(chǎn)品種類不斷豐富，公司預(yù)計(jì)將出現(xiàn)一定流動(dòng)資金缺口；此外，伴隨業(yè)務(wù)發(fā)展，公司亦考慮通過(guò)投資并購(gòu)方式整合行業(yè)優(yōu)質(zhì)標(biāo)的，謀求產(chǎn)業(yè)資源的有效協(xié)同。

東微半導(dǎo)體表示，未來(lái)將持續(xù)聚焦創(chuàng)新型高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，致力于成為國(guó)際領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商，將持續(xù)專注于研發(fā)高效率、低損耗產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)功率器件的自主可控；深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作，實(shí)現(xiàn)雙贏；探索資源整合的方式，加速產(chǎn)品能力提升。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)