近日，江蘇蘇州英諾賽科氮化鎵項目傳來新進展。

據(jù)新華網(wǎng)報道，江蘇省重大項目英諾賽科氮化鎵項目已經完成了一期廠房建設及生產設備搬入，預計今年11月底實現(xiàn)通線試產，明年4月正式投產。

英諾賽科（蘇州）半導體有限公司副總經理王培仁表示，按照規(guī)劃，英諾賽科氮化鎵項目開工兩年內將建成8英寸第三代化合物半導體硅基氮化鎵大規(guī)模量產線，投產后三年將實現(xiàn)年產78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標。

資料顯示，英諾賽科氮化鎵項目一期投資超60億元，建成后年產值預計可突破100億元，該項目主要建設從器件設計、驅動IC設計開發(fā)、材料制造、器件制備、后段高端封測以及模塊加工的全產業(yè)鏈寬禁帶半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產業(yè)鏈研發(fā)生產平臺。

英諾賽科總經理孫在亨此前表示，項目計劃未來兩到三年內滿產后實現(xiàn)月產65000片8英寸硅基氮化鎵。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)