3月21日，北方華創(chuàng)宣布，近期公司12英寸高介電常數(shù)原子層沉積設備Scaler HK430實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，獲得批量訂單。這標志著北方華創(chuàng) CVD （化學氣相沉積）先進工藝設備解決方案的成功應用。

為了突破晶體管尺寸微縮的工藝瓶頸，業(yè)界采用新型High-K材料HfO 2 （ 氧化鉿 ）作為柵介質(zhì)層，結(jié)合金屬柵極技術(shù)，研發(fā)出HKMG(High-K/Metal Gate高介電常數(shù)/金屬柵極)工藝。

北方華創(chuàng)表示，該工藝在45nm及以下節(jié)點占據(jù)核心地位，CVD/ALD（ 原子層沉積 ）工藝設備成為HKMG工藝的重要支撐。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)