集邦咨詢：第二季服務(wù)器內(nèi)存合約價續(xù)漲，16GB模組均價將邁向130美元大關(guān)

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，由于供給吃緊態(tài)勢尚未改變，2017年服務(wù)器內(nèi)存第一季合約價上揚近四成，預(yù)估第二季將更進(jìn)一步上漲約一成水位，其中DDR4 16GB服務(wù)器模組將邁向130美元大關(guān)。

DRAMeXchange表示，自2016年第四季起，服務(wù)器內(nèi)存便在標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的供貨吃緊下連帶漲價，且受惠于2016下半年大型標(biāo)案，整體備貨力道超出預(yù)期。展望2017年，由于DRAM原廠對內(nèi)存資本支出趨于保守，產(chǎn)能擴(kuò)增受限，整體市場供給仍將吃緊，預(yù)估2017上半年服務(wù)器內(nèi)存價格仍會延續(xù)漲價走勢。

整體服務(wù)器內(nèi)存制程邁進(jìn)20納米以下，高容量模組加速滲透

從內(nèi)存產(chǎn)出制程來分析，三星今年的重點將會是提高18納米制程的投片，同時SK海力士與美光陣營也會提高其20／21納米高容量晶圓顆粒與良率，進(jìn)而提升整體高容量服務(wù)器模組的滲透率。

此外，目前如華為、浪潮等中國服務(wù)器廠商皆已通過原廠先進(jìn)制程的驗證，預(yù)計在今年第二季大量轉(zhuǎn)進(jìn)至20納米以下之制程，并規(guī)劃于今年第四季前達(dá)到近六成的20納米產(chǎn)品規(guī)劃，可以預(yù)期高容量模組如16GB與32GB的服務(wù)器應(yīng)用將更多。

DRAMeXchange指出，2017年20納米將成為服務(wù)器內(nèi)存主要供應(yīng)制程，8Gb mono die成為市場主流顆粒，使得16GB與32GB容量的服務(wù)器模組取得更加容易，再加上下半年英特爾與超威新服務(wù)器平臺的導(dǎo)入，將迫使如廣達(dá)等一線代工廠提升服務(wù)器內(nèi)存模組的配置，以改善整體效能。然而，單機(jī)搭載容量的提升依舊是今年服務(wù)器內(nèi)存最主要的成長動能。