TrendForce：行動(dòng)式內(nèi)存出貨占比增加，第三季DRAM總產(chǎn)值小幅衰退1.2%

受到市況供過(guò)于求影響，DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)持續(xù)下降，然而各家廠商策略性地將跌幅最大的標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存產(chǎn)能轉(zhuǎn)往毛利較高、價(jià)格較穩(wěn)定的服務(wù)器內(nèi)存及行動(dòng)式內(nèi)存領(lǐng)域，配合位元顆粒仍持續(xù)增長(zhǎng)，整體DRAM營(yíng)收規(guī)模尚未出現(xiàn)大幅的縮減。TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第三季DRAM總產(chǎn)值小幅衰退1.2%，行動(dòng)式內(nèi)存占總營(yíng)收比重從第二季的33.7%，大幅提升至第三季的40%。

DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第四季由于智能手機(jī)出貨量持續(xù)增長(zhǎng)，行動(dòng)式內(nèi)存在整體DRAM比重將隨之攀升。然而后續(xù)淡季再度來(lái)臨，加上位元產(chǎn)出因20/21nm提升，供過(guò)于求加劇無(wú)可避免，未來(lái)DRAM價(jià)格將持續(xù)走跌。

三大廠積極優(yōu)化成本，加速供需失衡獲利仍低

第三季兩大韓廠的營(yíng)業(yè)獲利率基本持平，三星維持47%，SK海力士約為36%。美光則產(chǎn)生較明顯下滑，由第二季的21%下滑至第三季的約15%。市占方面三星仍處領(lǐng)先地位，約47%，SK海力士約28%，美光則約19%。

吳雅婷表示，三星第三季20nm產(chǎn)出除了在標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存及服務(wù)器內(nèi)存外，率先出貨20nm為基礎(chǔ)的LPDDR4，在現(xiàn)今跌價(jià)的市場(chǎng)中保有成本優(yōu)化的優(yōu)勢(shì)。SK海力士最先進(jìn)制程21nm處于送樣階段，預(yù)計(jì)在明年第一、第二季大量出貨，貢獻(xiàn)整體產(chǎn)出。美光20nm產(chǎn)品目前在服務(wù)器內(nèi)存領(lǐng)域小量出貨，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體驗(yàn)證正逐步執(zhí)行中，為三大廠中制程轉(zhuǎn)換最落后者。