臺(tái)系DRAM廠面對(duì)未來挑戰(zhàn)的策略新局

標(biāo)準(zhǔn)型DRAM合約價(jià)在2007年初因供過于求開始急跌，全年YoY跌幅達(dá)83%。2008年，DDR2全年均價(jià)YoY再下跌30%。各家DRAM廠在08年第四季由于營運(yùn)現(xiàn)金部位不斷下降，資本市場(chǎng)募資不易，面臨退出或接受政府紓困的困境。今年第一季，臺(tái)系DRAM廠產(chǎn)能稼動(dòng)率甚至降至20%-50%。在第二季景氣逐漸復(fù)蘇下，DRAM合約價(jià)格DDR2 1Gb也由去年年底最低點(diǎn)0.75美元上漲至九月下旬的 1.7美元，價(jià)格由幾乎跌破廠商的材料成本漲至現(xiàn)金成本以上，預(yù)估在今年下半年，DRAM廠在DRAM營運(yùn)方面皆可產(chǎn)生營運(yùn)現(xiàn)金凈流入。

在經(jīng)歷長達(dá)兩年多的景氣下跌，臺(tái)系DRAM廠也于今年初積極布局，力圖從不景氣中走出新方向。目前，除了南科、華亞科在富爸爸臺(tái)塑大力支持下，與美光展開合作，持續(xù)在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)；力晶、茂德、華邦都展開不同的布局規(guī)劃。

南科、華亞科集團(tuán)

在08年3月與美光簽訂技術(shù)合作備忘錄，并于08年10月在臺(tái)塑集團(tuán)協(xié)助下，美光正式取得華亞科36.5%股權(quán)，取代原奇夢(mèng)達(dá)于華亞科持股。而在臺(tái)灣方面表態(tài)要協(xié)助臺(tái)灣DRAM廠及金融風(fēng)暴下資本支出大減，南科、華亞科暫緩原訂美光技術(shù)轉(zhuǎn)移的時(shí)程。今年三月中，政府推出TMC方案，在與美光取得共識(shí)后，四月中，南科、華亞科、美光共同聲明不加入TMC聯(lián)盟。四月十七日，南科董事會(huì)通過減資311.78億元、幅度達(dá)66.43%，減資后，再透過私募與現(xiàn)金增資兩種方式增資，上限80億股，臺(tái)塑集團(tuán)全力支持南科增資。目前，南科已移入兩臺(tái)浸潤式微影設(shè)備，預(yù)計(jì)明年第一季加速轉(zhuǎn)進(jìn)美光50奈米制程，而華亞科也已移入一臺(tái)浸潤式微影設(shè)備，預(yù)計(jì)明年陸續(xù)移入3-5臺(tái)。在轉(zhuǎn)進(jìn)美光50奈米制程后，南科、華亞科的DDR2/DDR3 1G生產(chǎn)成本將由奇夢(mèng)達(dá)70奈米的$2.5美元降至$1.5美元或更低。若明年DDR2/DDR3 1G均價(jià)維持在$1.5以上，南科、華亞科將可擺脫長期虧損而轉(zhuǎn)為獲利。

力晶、瑞晶集團(tuán)

今年三月，在力晶出售部份瑞晶持股與技術(shù)合作廠商爾必達(dá)。瑞晶正式成為日商爾必達(dá)子公司。原本的產(chǎn)能分配協(xié)議自今年三月后暫改為,瑞晶產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)給爾必達(dá)，力晶旗下產(chǎn)能不再分配與爾必達(dá)。對(duì)爾必達(dá)而言，原本自瑞晶取得一半產(chǎn)能及力晶四成產(chǎn)能的顆粒產(chǎn)出，相等于目前取得的瑞晶產(chǎn)能的總產(chǎn)出。對(duì)力晶而言，則可全盤規(guī)劃掌控旗下的產(chǎn)能，而且不需再以低于市價(jià)的價(jià)格出貨與爾必達(dá)。今年第一季，力晶旗下12吋廠P1、P2、P3總產(chǎn)能13萬片，投片月平均僅達(dá)3萬片，產(chǎn)能稼動(dòng)率低于3成。而在價(jià)格回升，旺季需求增溫下，第四季投片將達(dá)10萬片，產(chǎn)能稼動(dòng)率接近8成。在力晶目前最新的策略布局，預(yù)計(jì)在2010年，P1以代工單為主，P2生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)隨爾必達(dá)進(jìn)度轉(zhuǎn)進(jìn)60奈米 Buried Wordline,進(jìn)而40奈米，P3則開始量產(chǎn)NAND Flash。力晶于NAND Flash設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造已耕耘多年，06年取得新竹用地P4、P5原計(jì)劃生產(chǎn)NAND Flash。

目前力晶已以70奈米量產(chǎn)4G MLC，計(jì)劃明年上半年量產(chǎn)50奈米8G MLC，下半年導(dǎo)入40奈米16G MLC。但以NAND Flash生產(chǎn)所需的技術(shù)、資金的挑戰(zhàn)更甚于DRAM，力晶是否能順利量產(chǎn)，進(jìn)而以NAND Flash填滿P3產(chǎn)能，市場(chǎng)認(rèn)為后續(xù)值得觀察。然而，在NAND Flash持續(xù)短缺下，甚至明年由于三星、東芝、美光產(chǎn)能可能維持不變或僅小幅度增加，3X奈米制程的轉(zhuǎn)進(jìn)限于良率也難以大幅提升，預(yù)估NAND Flash明年將持續(xù)短缺。在今年NAND Flash短缺時(shí)，三星為滿足系統(tǒng)客戶的需求，對(duì)二線客戶供給大減，幾家內(nèi)存卡廠商如金士頓、創(chuàng)見皆面臨供給缺口。因此，據(jù)悉，力晶已有NAND Flash記憶卡大廠表示愿出資給力晶買進(jìn)設(shè)備及技術(shù)研發(fā)。若力晶成功量產(chǎn)NAND Flash約3-4萬片，則明年產(chǎn)能稼動(dòng)率將達(dá)100%；營運(yùn)方面，不僅在今年第三季已產(chǎn)生營運(yùn)凈現(xiàn)金流入，明年更有可能轉(zhuǎn)虧為盈。

茂德

今年2月，在銀行團(tuán)通過借款及政府的協(xié)助下，茂德與海外無擔(dān)?？赊D(zhuǎn)換公司債持有者完成協(xié)商，并順利的以原金額的20%-25%收購在2月14日到期的110億海外無擔(dān)?？赊D(zhuǎn)換公司債，度過營運(yùn)危機(jī)。

在低現(xiàn)金水位下，茂德現(xiàn)在產(chǎn)能稼動(dòng)率維持在20%-30%左右，上半年投片產(chǎn)出以消費(fèi)型DRAM(DDR1)為主，但隨著近期DDR2價(jià)格急速攀升，第三季末投片已轉(zhuǎn)為DDR與DDR2各半的狀況。預(yù)計(jì)第四季，產(chǎn)能稼動(dòng)率將拉至近40%。對(duì)于未來的產(chǎn)能規(guī)劃,茂德正積極與潛在客戶洽談，據(jù)悉潛在客戶包括:爾必達(dá)計(jì)劃明年第一季開始，在茂德下單2萬至3萬片的DDR2/DDR3。某DRAM模塊大廠也在DRAM短缺下，要求茂德生產(chǎn)近1萬片的DDR2 512M供貨。九月成立的TIMC(臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存公司)目前以茂德中科廠為研發(fā)生產(chǎn)基地，另外也洽談2萬片的編碼型閃存(NOR Flash)。若明年景氣好轉(zhuǎn)，茂德順利接獲以上大單，產(chǎn)能稼動(dòng)率將達(dá)8成以上。

華邦電子

華邦電子，在今年七月份與國內(nèi)九家銀行簽訂三年期新臺(tái)幣三十七億元聯(lián)合授信案，此聯(lián)貸案之資金用途主要為償還今年度到期之長期負(fù)債及充實(shí)營運(yùn)資金，且其在今年第二季開始，現(xiàn)金流量方面轉(zhuǎn)為現(xiàn)金流入，因此在營運(yùn)資金方面，目前不虞匱乏。

在產(chǎn)能利用率方面，由于利基型內(nèi)存需求大增，從第二季開始，華邦產(chǎn)能已處于滿載的狀況。華邦目前規(guī)劃將逐步減少標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)量，同時(shí)增加利基型內(nèi)存，編碼型快閃記記體及行動(dòng)應(yīng)用內(nèi)存的產(chǎn)出及進(jìn)入繪圖內(nèi)存市場(chǎng)。繪圖內(nèi)存產(chǎn)品(GDDR3), 預(yù)計(jì)在今年第四季可量產(chǎn)。將承接爾必達(dá)采用奇夢(mèng)達(dá)內(nèi)存技術(shù)的代工訂單為主，之后華邦將朝向自主開發(fā)與代工同時(shí)并進(jìn)。