DDR2 1Gb eTT本周現(xiàn)貨價格上揚逾5%，唯成交反應(yīng)清淡

DDR2 1Gb eTT現(xiàn)貨價格自5月11日的高點1.34美元一路下滑至6月12日的低點1.04美元，跌幅將近22%，6月初開始跌勢加快，兩周間下跌近13%，甚至逼近了一美元的信心關(guān)卡，隨著本周海力士與南科傳出合約價格將繼續(xù)上漲，現(xiàn)貨顆粒價格翻揚至1.09美元均價，至今上漲約5%左右，但價漲量跌。

現(xiàn)貨市場方面，四月份現(xiàn)貨顆粒主要供應(yīng)者力晶與爾必達由于暫緩出貨至現(xiàn)貨市場中，現(xiàn)貨顆粒供應(yīng)吃緊讓五月中旬價格攀升至短期高點1.34美元，但由于其它DRAM廠商趁機釋出手上庫存并開始低價銷售，讓現(xiàn)貨顆粒價格上攻1.5美元功敗垂成，六月初力晶與爾必達亦棄守鎖貨策略，開始出貨至模塊廠與經(jīng)銷商，價格急轉(zhuǎn)直下至1.04美元，本周現(xiàn)貨顆粒價格雖然反彈向上，但買盤持續(xù)觀望，成交量無法放大，DRAMeXchange 預(yù)估近期現(xiàn)貨顆粒的價格將會在1.0-1.2美元區(qū)間內(nèi)盤整。

六月下旬DDR2合約價將呈現(xiàn)持平走勢，DDR3有機會維持上漲動能

在合約市場方面，自四月開始起漲，DDR2 800Mhz 2GB的合約價格自17美元均價上漲至六月上旬21.5美元，漲幅約26%，但隨著現(xiàn)貨顆粒不斷走跌與部份PC OEM廠商看淡下半年出貨，六月上旬的合約價漲幅收斂至4%-6%左右，對于六月下旬的DDR2合約價將難以維持強勢上漲格局，預(yù)估將呈現(xiàn)持平的價格走勢，但值得注意的是DDR3合約價的走勢，隨著CULV的平臺的轉(zhuǎn)進與PC OEM廠的平臺轉(zhuǎn)進策略，對于DDR3顆粒的需求將愈日遽增，預(yù)期將帶動DDR3的合約價格持續(xù)上揚,擴大與DDR2的價差。

季底效應(yīng)與淡季因素，NAND Flash價格呈現(xiàn)部份持平與部分回軟的走勢

自6月初以來NAND Flash市場處于相對穩(wěn)定的狀況，就需求面來看，由于整體消費力道尚未恢復(fù)，使下游各項終端產(chǎn)品的銷售力道不如以往。

日前Apple推出第三代iPhone，預(yù)期6月19日上市后仍將有熱銷的蜜月期，其它手機大廠3Q09也將趁勢推出各種高階Smart Phones，將使短期來自手機系統(tǒng)客戶的需求明顯增加。然而，其它NAND Flash的主要應(yīng)用產(chǎn)品，如記憶卡& UFD等，仍受到淡季效應(yīng)與不景氣的影響，買氣并未上升，且目前記憶卡 &UFD 市場未來需求的能見度不高，加上季底效應(yīng)還要調(diào)低庫存水位，因此下游客戶在采購意愿也變得比較謹慎保守，而多采取觀望的態(tài)度。

NAND Flash價格經(jīng)過今年上半年的大幅調(diào)漲后，目前多已回到芯片成本以上，對于上游供貨商而言，多希望NAND Flash價格能夠維持在獲利水平之上，但下游客戶卻又不希望因為原料成本上漲，造成終端產(chǎn)品價格過于昂貴進而抑制整體NAND Flash的應(yīng)用需求，尤其是對于未來明星產(chǎn)品SSD的普遍應(yīng)用。

因此，我們預(yù)期在季底效應(yīng)與淡季效應(yīng)及新產(chǎn)品上市等多空因素的交互影響下，短期內(nèi)NAND Flash合約價價格將呈現(xiàn)部份持平、部分回軟的走勢。