DXI打W底，短期呈底部整理，蘊(yùn)釀反彈契機(jī)

DRAMeXchange所推出的DXI，本身代表DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值，不僅顯現(xiàn)其對DRAM產(chǎn)業(yè)景氣的敏感度，且具有DRAM廠股價領(lǐng)先指標(biāo)的特性。DXI經(jīng)過集邦科技多年來不斷測試修正后，DXI可視為目前DRAM廠股價趨勢轉(zhuǎn)折的重要指標(biāo)。

DXI于2007年1/2開始，由4622一路下跌36%至6/12之2975，曾一度于8/21反彈13%至3369，但即回復(fù)下跌趨勢，續(xù)跌23%至11/28之2606，又于12/6短彈1.3%至2641，12/17再回測2607，打了第二只腳后，形成一完整之W底。2007年12/31之DXI到達(dá)2661.5，其指標(biāo)意義在于DXI已呈現(xiàn)底部整理，蘊(yùn)釀反彈契機(jī)。

在DRAM價格經(jīng)過半年下跌趨勢后，DXI跌勢至此暫時趨緩，呈現(xiàn)底部整理的型態(tài)。同時在臺灣DRAM廠個股股價方面，力晶、南科、茂德股價亦于2007年11/28日來到近期股價低點(diǎn)，打下第一只腳后出現(xiàn)反彈，股價于近期亦有落底的味道。

DXI再次與DRAM廠股價呈現(xiàn)同步甚至領(lǐng)先之走勢，不論是DRAM產(chǎn)業(yè)、投資業(yè)、買賣業(yè)各方，也紛紛注意到DXI對DRAM產(chǎn)業(yè)景氣的敏感度，及具有DRAM廠股價領(lǐng)先指標(biāo)的特性。DXI經(jīng)過集邦科技多年來不斷測試修正后，DXI目前可視為DRAM廠股價趨勢轉(zhuǎn)折的重要指標(biāo)，具有相當(dāng)高的可信度。

DXI之所以有如此效用，主要在其本身即代表全球DRAM總產(chǎn)值最實(shí)時的狀態(tài)。DXI是經(jīng)由集邦科技篩選出市場主流DRAM顆粒后，將全球DRAM廠每月各主流顆粒的產(chǎn)出總數(shù)量，乘上各顆粒每日三次市場成交的的現(xiàn)貨價格，再經(jīng)統(tǒng)計(jì)方法修正所得到的數(shù)值。簡單來說，DXI就是全球DRAM產(chǎn)業(yè)之產(chǎn)值與業(yè)績指標(biāo)。根據(jù)集邦科技近期透過統(tǒng)計(jì)方法檢驗(yàn)，DXI與全球DRAM廠在DRAM業(yè)務(wù)方面每月營收之總和，有高達(dá)0.97的正相關(guān)。

ITRS & IEDM 論壇揭橥NAND Flash未來技術(shù)新走向

2007年12月初在日本的幕張國際展覽中心（Makuhari Messe）舉辦的2007 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors) Winter Conference中，記憶體專家們對NAND Flash的未來技術(shù)進(jìn)展提出了新的修改，由于NAND Flash制程技術(shù)的競爭激烈，因此ITRS在2007年12月將NAND Flash記憶胞(cell)的尺寸微縮芯片產(chǎn)出量倍增規(guī)律，在2007-2008年仍維持在之前的2年一個世代周期，2009-2011年起才調(diào)整為3年一個世代周期，主要因素為3X & 2X nm NAND Flash制程所需的相關(guān)生產(chǎn)技術(shù)及微縮顯影設(shè)備，需要花費(fèi)比4X & 5X nm制程更長的研發(fā)時間，此外ITRS在2007年4月的法國安希(Annecy)論壇中，也已重新詮釋摩爾定律(Moore’s Law)的廣義定義為：包括芯片幾何尺寸上減半微縮、采用新芯片架構(gòu)帶來的性能倍增、以及由芯片設(shè)計(jì)改良帶來的多功能化等，將成為半導(dǎo)體新世代技術(shù)改進(jìn)的芯片性能/成本比倍增規(guī)律。

另外2007年12月中旬在美國華盛頓DC舉行的2007 International Electron Devices Meeting（IEDM）論壇中，NAND Flash相關(guān)業(yè)者也提出了Data Flash在sub-40 nm制程的未來的技術(shù)發(fā)展方向，由于Floating Gate(FG)型MLC NAND Flash在3X nm制程生產(chǎn)中將會面臨：記憶胞間的干擾(disturbance)、電容耦合比(capacity coupling ratio)的降低、保存電荷數(shù)的減少以及短通道效應(yīng)(short channel effect)漏電等的影響將日趨嚴(yán)重，因此Samsung表示正在考慮從40nm以下制程導(dǎo)入Charge Trap(CT)型TANOS(Tantalum Aluminum Oxide Nitride Oxide Silicon)，以取代原來的浮動閘型(FG)記憶胞，目的是減小記憶胞間的干擾影響。另外為減小短通道效應(yīng)的影響，Samsung也提出將采用鰭式場效晶體管(Fin Field Effect Transistors)型三維閃存記憶胞(3D Flash-cell)的技術(shù)，用來改善30 nm以下制程的Data Flash久存度(retention)性能，Samsung并可能于2008 ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)正式發(fā)表4X nm 3D 2-bit/cell單元層迭 Data Flash。

同時Toshiba也在IEDM上，發(fā)表采用三維記憶胞層迭生產(chǎn)技術(shù)BiCS(Bit-Cost Scalable)之超高密度閃存的最新開發(fā)成果，而Toshiba/SanDisk也可能在2008 ISSCC上正式發(fā)表56 nm 3-bit/cell MLC NAND Flash，并已對其數(shù)據(jù)傳輸速度進(jìn)行技術(shù)改良。此外一些半導(dǎo)體制程設(shè)備廠商如：ASML、Applied Materials…等，近期也宣示將協(xié)同客戶共同研發(fā)生產(chǎn)3D data Flash所需的相關(guān)設(shè)備及技術(shù)，依照ITRS的進(jìn)度規(guī)劃，3D data Flash預(yù)期主要將會運(yùn)用2Xnm制程技術(shù)來生產(chǎn)，并于2012年后開始成為data Flash市場的主力產(chǎn)品之一。

近期Micron & Intel則表示將著手研發(fā)2X nm的FG型MLC NAND Flash的可行生產(chǎn)技術(shù)解決方案，其它data Flash業(yè)者則表示將會朝研發(fā)2X nm的CT型2-bit/cell、3-bit/cell & 4- bit/cell data Flash或3X nm FG型 3-bit/cell & 4-bit/cell MLC NAND Flash來發(fā)展。依照ITRS的進(jìn)度規(guī)劃，3X nm CT型data Flash將會在2009年后開始成為data Flash市場的主力產(chǎn)品之一。同時Infineon、Qimonda、IBM & MXIC的研究小組，也在IEDM上發(fā)表了2-bit/cell & 4-bit/cell型相變化內(nèi)存(Phase-change RAM)的多層化新型數(shù)據(jù)寫入技術(shù)，使其更具有發(fā)展成為高性能低成本的新興NV(non-volatile)內(nèi)存的潛力產(chǎn)品之一。集邦科技也預(yù)期2008年NAND Flash相關(guān)廠商將會陸續(xù)提出更多新的生產(chǎn)技術(shù)改善方案，使其產(chǎn)品具有更佳的性價比，應(yīng)用到更多嶄新的領(lǐng)域里。

NAND Flash上周現(xiàn)貨價格回顧

最后，DRAMeXchange將12/24至12/31各容量的NAND Flash顆?，F(xiàn)貨收盤價進(jìn)行比較：1Gb SLC的價位從2.2美元下滑至2.15美元，跌幅為2.3%；2Gb SLC從3.46美元下滑至3.34美元，跌幅3.5%；4Gb SLC維持在6.03美元，漲跌幅0%；4Gb MLC從3.16美元下滑至2.79美元，跌幅11.7%；8Gb SLC維持在11.5美元，漲跌幅為0%；8Gb MLC的價格從3.34美元下滑至3.3美元，漲跌幅為1.2%；16Gb SLC價格維持在24.4美元，漲跌幅為0%；16Gb MLC從5.94美元下滑至5.83美元，跌幅1.9%；32Gb MLC從12.1美元下跌至11.9美元，跌幅1.7%。