DRAM顆粒價格已跌至變動成本，此波漲價將是未來價格上揚的起跑點

上周現(xiàn)貨市場仍延續(xù)近期的價格走勢，DDR2 eTT的顆粒價格雖然小幅下跌但已有支持的力道出現(xiàn)，DDR2 512Mb eTT顆粒價格從11/26的0.82美元下滑至12/03 以0.81美元成交，跌幅約1.2%，而DDR2 1Gb eTT顆粒的價格，價格從11/26的1.64美元下滑至12/03 以1.61美元成交，跌幅約1.8%，而品牌顆粒的部份，DDR2 1Gb的價格從11/26的2.01美元下滑至12/03 以1.96美元成交，跌幅約2.41%，但值得注意的是DDR2 512Mb eTT顆粒價格，在上星期中曾跌破0.80美元關(guān)卡至0.77美元的價位，但隨即反彈至原來的價格，預(yù)期本周DDR2 512Mb eTT顆粒價格將會持平或是呈小幅上揚的價格趨勢。

合約市場方面，因為12月上旬DDR2 667 1GB內(nèi)存模塊目前都在洽談中，所以未有正式的價格出現(xiàn)，但12月份本是OEM廠商出貨淡季，在備貨意愿不高的情形下，預(yù)期合約價仍維持下跌的趨勢。在模塊廠方面，因為歐美的圣誕假期的銷售超乎預(yù)期，臺系的模塊廠商已陸續(xù)接到廠商的追加訂單，希望可以趕上最后的圣誕商機。

現(xiàn)貨市場經(jīng)過這一段時間的DRAM顆粒價格下滑走勢中，終于出現(xiàn)反彈的趨勢，與之前1998年與2001年SDRAM 16x8的跌價做分析比較，1998年時是8吋晶圓廠擴張速度過快導致市場供過于求，2001年適逢911事件與整體的泡沫經(jīng)濟導致需求急速下滑，今年則是VISTA效應(yīng)不如預(yù)期，DRAM需求成長率成長趨緩，12吋晶圓廠產(chǎn)出過剩，價格持續(xù)走弱，根據(jù)DRAMeXchange表示，盡管跌價原因不盡相同，但是當價格低于變動成本的時候，價格就會出現(xiàn)的反彈現(xiàn)象，因為廠商會適時的調(diào)整生產(chǎn)計劃，如1998年第二季時曾跌價至0.8美元左右的價位，但第三季就回到約2.0美元的水平，而2001年也是在11月跌到0.8美元的價位，但在12月也將價格拉至2.42美元的均價，綜觀前兩次的價格變化，都是由國際大廠率先減產(chǎn)，冀望市場供需平衡讓價格可以止跌回升，而這次的DDR2跌價也是從2006年中的7.0美元跌至最低約0.77美元的價位，但隨即反彈至目前的0.82美元，以目前的市場面來分析，不外乎是市場人士認為價格已經(jīng)是變動成本，不久的未來國際大廠應(yīng)會做出減產(chǎn)的動作，讓整體的DRAM價格上揚，若是如此，這將是未來價格上漲的起跑點。

廠商將加速改善NAND Flash應(yīng)用上的技術(shù)瓶頸

近期Data Flash相關(guān)廠商紛紛表達了他們在2008年將會投注更多的研發(fā)心力，在加速改善NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用上的一些現(xiàn)有技術(shù)瓶頸，比如：Data Flash廠商將開發(fā)CTF/NROM/XNOS等架構(gòu)的Data Flash，以解決Floating-gate NAND Flash在3Xnm制程技術(shù)所將面臨的物理限制；或者開發(fā)3-bit/cell & 4-bit/cell MLC NAND Flash或3D-cell Data Flash架構(gòu)，來增加Data Flash芯片的單位儲存容量。

目前半導體設(shè)備廠商也正協(xié)同Data Flash廠商加速開發(fā)3X/2X nm制程以及3D-cell Data Flash所需的微縮顯影制程技術(shù)，另外SSD廠商也將協(xié)同Data Flash controller廠商共同來研發(fā)提升SSD的傳輸速度及循環(huán)使用次數(shù)的相關(guān)技術(shù)，使SSD在NB & DT PC上的應(yīng)用能具有更好的效益，讓SSD能加速成為下一波的NAND Flash殺手級的應(yīng)用產(chǎn)品，同時近期一些電子組織/協(xié)會也正加緊協(xié)商研擬制定各種新一代NAND Flash相關(guān)應(yīng)用的標準/界面，希望能讓NAND Flash更廣泛地應(yīng)用到更多的電子產(chǎn)品上，我們也預(yù)期以上NAND Flash相關(guān)廠商這些研發(fā)行動，在2008年起也將有助于使NAND Flash具有更好的性能/價格比，來提高其在3C電子產(chǎn)品應(yīng)用上的滲透率。

近期一些內(nèi)存廠商也表達了他們將會審時度勢靈活地調(diào)整他們2008年的資本支出預(yù)算，或?qū)⒉糠?吋晶圓廠房設(shè)備處份或轉(zhuǎn)做其它生產(chǎn)用途，預(yù)期廠商這些計劃若真的落實后，將會使1H08的NAND Flash產(chǎn)出量的增長速度趨緩，這也將有助于紓緩傳統(tǒng)1H08淡季供過于求的狀況。

時序上也來到了傳統(tǒng)的年終假期電子產(chǎn)品銷售旺季，NAND Flash下游廠商也計劃展開一連串熱烈的產(chǎn)品促銷活動，預(yù)計將從美國感恩節(jié)開始展開熱身后，然后會持續(xù)進行到圣誕節(jié)及各國的新年假期，并延續(xù)到中國農(nóng)歷春節(jié)假期，在美國黑色星期五初步繳出亮麗的銷售成績后，我們也發(fā)現(xiàn)今年美國感恩節(jié)假期除了零售賣場的熱賣外，廠商利用網(wǎng)絡(luò)銷售的成績也頗為亮眼，盱衡近期電子廠商都已積極的展開全球性的年終假期促銷計劃，預(yù)期此舉將有助于加速去化下游廠商的庫存，進而有助于提振下游客戶未來對NAND Flash的采購意愿，同時也將有助于緩和次級房貸余波對傳統(tǒng)1Q08銷售淡季的部份影響程度。

最后，DRAMeXchange將11/26和12/3的各容量的NAND Flash顆?，F(xiàn)貨收盤價做一比較：1Gb SLC的價位從3.26美元下滑至2.99美元，跌幅為8.3%；2Gb SLC從4.36下跌至4.18美元，跌幅4.1%；4Gb SLC從6.56微幅下滑至6.36美元，跌幅3%；4Gb MLC從4.29下滑至3.94美元，跌幅8.2%；8Gb SLC則從13.17下跌至12.49美元，跌幅為5.2%；8Gb MLC的價格從4.57下跌至4.21美元，跌幅為7.9%；16Gb SLC價格從27.32下跌至25.77美元，跌幅為5.7%；16Gb MLC從9.85下滑至8.89美元，跌幅9.7%；32Gb MLC從19.01下跌至17.19美元，跌幅9.6%。