DRAM廠商增加現(xiàn)貨市場的供貨比重使得DDR2現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下跌，8吋廠比重偏高的DRAM廠商壓力逐漸增加

現(xiàn)貨市場方面，市場需求不振以及DRAM廠商增加現(xiàn)貨市場的供貨比重，使得DDR2現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下跌，DXI指數(shù)由4363下跌至 4262。而近期DRAM廠商陸續(xù)公布去年第四季的財(cái)報(bào)獲利數(shù)字，12吋廠比重較高的DRAM廠商明顯發(fā)揮其成本優(yōu)勢，因此對于部份生產(chǎn)主力仍在8吋廠的DRAM廠商今年勢必會(huì)是艱苦的一年。

現(xiàn)貨市場方面，部份模塊廠與通路商持續(xù)降低庫存水平，而市場買盤仍在觀望，大陸與香港市場也同樣交易清淡。買氣停滯使得價(jià)格進(jìn)一步下跌。DDR2 512Mb eTT上周價(jià)格來到3.55美元，單周跌幅達(dá)9%。DDR2 512Mb 667MHz下跌至5.15美元，跌幅達(dá)7.4%。DDR價(jià)格也受到DDR2 跌價(jià)影響而下滑，DDR 512Mb 400MHz 價(jià)格下跌至4.2美元，跌幅4%。

除了現(xiàn)貨市場需求疲弱之外，由于PC OEM廠已經(jīng)提高了庫存水位，合約市場需求同步趨緩。而DRAM廠商必須將貨源倒往現(xiàn)貨市場以消化掉每月持續(xù)增加的產(chǎn)出，造成現(xiàn)貨市場價(jià)格下滑。而現(xiàn)貨市場價(jià)格下跌也將連帶影響合約價(jià)格，加上二月份工作天數(shù)減少，DRAM廠將于面臨合約價(jià)格下跌的壓力。以目前現(xiàn)貨價(jià)格DDR2 512Mb 667MHz約5.2美元左右，使得二月份合約市場價(jià)格下跌幅度有機(jī)會(huì)趕上現(xiàn)貨價(jià)格，合約市場DDR2 512MB 模塊價(jià)格有機(jī)會(huì)見到45美元以下的價(jià)位。

而近期DRAM廠商也陸續(xù)公布去年第四季的財(cái)報(bào)獲利數(shù)字，盡管每一家廠商獲利表現(xiàn)不同，但全部處于賺錢的狀態(tài)。以各家DRAM廠商營益率(operating margin)表現(xiàn)作比較，可以發(fā)現(xiàn)臺(tái)系廠商的營益率相較于市占率較高的廠商優(yōu)秀。分析其原因，除了單純的DRAM產(chǎn)品之外，龐大的研發(fā)費(fèi)用也是造成其它家DRAM廠營益率相對偏低的原因。因此未來產(chǎn)業(yè)趨勢上DRAM廠之間彼此共同技術(shù)合作，共同分?jǐn)傃邪l(fā)費(fèi)用已成為未來產(chǎn)業(yè)趨勢。

除此之外，12吋廠的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)在降低成本上也發(fā)揮了極大的優(yōu)勢。由各家廠商營益率數(shù)字可以看出在8吋廠負(fù)擔(dān)較重的廠商獲利水平則遠(yuǎn)不及于其它家公司，盡管部分DRAM商仍有辦法在8吋廠繼續(xù)制程微縮，然而面臨70nm以下制程將必需要繼續(xù)添購新的設(shè)備，屆時(shí)將提高折舊數(shù)字使得投資效益偏低。因此對于部份生產(chǎn)主力在8吋廠的DRAM廠商今年勢必會(huì)是艱苦的一年。

Samsung和Toshiba/SanDisk推出50奈米級(jí)16Gb顆粒，閃存將進(jìn)入下一個(gè)世代的制程競賽

全球NAND Flash前兩強(qiáng)的生產(chǎn)廠商Samsung和Toshiba/SanDisk分別在本月陸續(xù)對外發(fā)表最新的產(chǎn)品。Samsung在這個(gè)月初正式對外宣布已經(jīng)將50奈米制程的16Gb MLC NAND Flash送樣給客戶，并且計(jì)劃在第一季底前開始量產(chǎn)。另一方面，Toshiba/SanDisk上周也正式發(fā)表使用56奈米生產(chǎn)的8Gb和16Gb MLC產(chǎn)品，其中8Gb已經(jīng)開始量產(chǎn)，16Gb預(yù)計(jì)第二季開始量產(chǎn)。

有別于其它的內(nèi)存產(chǎn)品，NAND Flash對生產(chǎn)者而言是一個(gè)特別講究制程能力的內(nèi)存。制程越先進(jìn)，代表生產(chǎn)者有能力生產(chǎn)更高容量的NAND Flash顆粒。另一方面，在生產(chǎn)同等容量的NAND Flash產(chǎn)品時(shí)，制程較先進(jìn)的廠商也較具成本優(yōu)勢，這是因?yàn)樵谕瑯映叽绲囊黄A（Wafer）上使用較先進(jìn)制程所生產(chǎn)的晶粒（Die）面積會(huì)比較小所致。比方說：同樣使用12吋晶圓生產(chǎn)NAND Flash，70奈米制程產(chǎn)出的晶粒面積比90奈米制程產(chǎn)出的小。晶粒面積縮小代表一片晶圓上面的晶粒數(shù)量會(huì)增加，廠商的生產(chǎn)成本便會(huì)因而減少。

在十分講究成本控制的NAND Flash產(chǎn)業(yè)，制程能力的優(yōu)劣往往決定廠商的競爭優(yōu)勢。為此，生產(chǎn)NAND Flash的廠商對于提升制程所花的心血不遺余力。以目前生產(chǎn)NAND Flash的四大廠商來看，Samsung和Toshiba/SanDisk算是跑在前面的生產(chǎn)者，兩者如今都已正式推出50奈米級(jí)16Gb的顆粒樣本；而Hynix/STMicroelectronics和Intel/Micron兩個(gè)陣營雖然暫時(shí)相對落后，不過也分別計(jì)劃在今年會(huì)推出50~60奈米同等級(jí)的產(chǎn)品。

DRAMeXchange相信隨著NAND Flash廠商的制程能力不斷改善，生產(chǎn)容量更高、價(jià)格更具優(yōu)勢的終端產(chǎn)品將是指日可待的事，整個(gè)NAND Flash市場也將因此有更多的需求被激發(fā)出來，對NAND Flash產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展將是正面的。

最后，DRAMeXchange將上周一和本周一NAND Flash現(xiàn)貨的收盤價(jià)做一比較，各容量的現(xiàn)貨價(jià)格都呈現(xiàn)下滑。1Gb從2.68下滑至2.66美元，跌幅為0.7%；2Gb從3.24下滑至2.89美元，跌幅10.8%；4Gb從4.64下滑到4.18美元，跌幅9.9%；8Gb從7.28下跌至6.56美元，跌幅為9.9%；16Gb從14.93下跌至14.13美元，跌幅5.4%。