歐美地區(qū)NB熱銷使得部分PC OEM廠持續(xù)供貨至月底，將支撐起DRAM需求

現(xiàn)貨市場DRAM走勢疲軟，DXI指數(shù)由4651上漲至4652。合約市場部分，部分PC OEM廠因終端需求銷售狀況超出預期，將持續(xù)供貨至月底，因此對于DRAM需求仍有一定支撐力道。

現(xiàn)貨市場方面，越接近圣誕節(jié)前夕市場交易量越清淡，在買氣不足下DDR與DDR2價格均呈現(xiàn)緩跌走勢。DDR2 512Mb 667MHz價格小幅下跌至6.56美元。DDR2 eTT顆粒則下滑至5.67美元。DDR顆粒持續(xù)緩跌，DDR 512Mb已下跌至4.87美元。

至于合約市場部分，由于兩家美系PC OEM大廠進行市占率爭霸戰(zhàn)，因此第四季展開大幅降價動作，期望藉由降價促銷活動來取得市占率第一的地位。而消費者因筆記型計算機大幅降價，加上大部份機種硬件規(guī)格均支持Vista，使得歐美地區(qū)筆記型計算機出貨率超出預期。因終端需求超乎預期，兩家PC OEM廠商則乘勝追擊，將持續(xù)供貨至月底。然而在零組件供應上，由于DRAM廠都有延遲交貨的情況，因此必須持續(xù)交貨至月底，避免拖累其銷售目標。

在供給吃緊情況下，DRAM廠商莫不希望以更先進的制程來增加產(chǎn)出，而80nm 制程的DDR2產(chǎn)品占DRAM產(chǎn)出持續(xù)增加，尤其以韓系廠商進度最為快速，集邦科技估計第四季80nm 制程占DRAM總產(chǎn)出達6.6%水平。此外，在DRAM規(guī)格上，DDR2 667MHz也已經(jīng)成為市場主流，在每一家PC OEM廠指定要DDR2 667MHz下，預估占合約市場達65%以上比重。至于DDR2 800MHz由于廠商的產(chǎn)出比重仍偏低，使得價格過高，因此需要等到明年下半年才有機會成為主流。

盡管2006年第四季DRAM產(chǎn)能持續(xù)增加，DRAM廠商想要打入PC OEM廠商的供應煉體系至少需要2至4個月的認證時間，使得新增加的DRAM產(chǎn)出無法全數(shù)供貨到合約市場，也造成現(xiàn)階段合約市場短缺而現(xiàn)貨市場價格疲弱的狀況。因此如何增加合約市場出貨比重為明年臺系DRAM廠商的重要課題之一。

NAND Flash整體市場旺季將過，現(xiàn)貨價格走勢處于穩(wěn)中帶軟的格局

在今年即將結束的這個時刻，整體NAND Flash現(xiàn)貨市場的交易狀況還維持在一定的水平。歐美今年耶誕假期所帶動的NAND Flash相關商品的旺季需求效應即將過去，目前當?shù)厥袌鰞H有一些OEM或通路商會進行零星式的補貨動作。以區(qū)域性的觀點來看，亞洲地區(qū)（特別是大中華市場）此時對NAND Flash顆粒的需求并未因為耶誕假期的到來而降溫，在明年二月中旬的中國農(nóng)歷年來臨之前，整個亞洲地區(qū)對NAND Flash顆粒的需求仍維持一定強度。因此，目前整個亞洲市場的NAND Flash交易狀況較歐美市場熱絡。

整體看上周NAND Flash現(xiàn)貨市場的價格變化，低容量1Gb和2Gb的平均價格在上周五時有往上反彈的情況出現(xiàn)；而4Gb以上的平均價格多半維持平穩(wěn)的狀態(tài)，向下修正的幅度極小。根據(jù)DRAMeXchange的觀察，手機OEM廠商目前所推出的多媒體手機普遍附贈一片128或256MB的小型記憶卡，為其代工的記憶卡業(yè)者對1Gb和2Gb的NAND Flash顆粒需求相對增加且呈現(xiàn)較為穩(wěn)定的狀態(tài)。使用高容量NAND Flash顆粒的MP3廠商在月初已經(jīng)以合約價拿完固定的需求，目前高容量的NAND Flash顆粒價格相對低容量的顆粒較為疲弱。

展望未來一至兩周NAND Flash現(xiàn)貨市場的交易狀況，由于各廠商有年報結算的效應存在，供貨商為了使庫存數(shù)字降至最低，預期將會和下游的客戶進行較大規(guī)模的交易，因此我們認為整體市場在年底時的交易量將會大增，至于現(xiàn)貨市場價格的變化則有待繼續(xù)的觀察。

最后，DRAMeXchange將上周二和本周一的收盤價做一比較，除了1Gb規(guī)格的現(xiàn)貨價有反彈向上外，其余規(guī)格的價錢都略有下跌，惟幅度不大。1Gb從2.48上漲至2.58美元，漲幅為4.0%；2Gb從4.12下滑至4.11美元，跌幅0.2%；4Gb從6.74下滑到6.57美元，跌幅2.5%；8Gb從10.87下跌至10.79美元，跌幅為0.7%；16Gb從21.82下跌至21.55美元，跌幅1.2%。