DDR與DDR2雙缺，8月上旬合約價(jià)格普遍上漲3至5%

上周DRAM價(jià)格漲幅集中于DDR顆粒，DXI指數(shù)由3516上漲至3559。DDR 256Mb因供給短缺，使得報(bào)價(jià)持續(xù)被追高，DDR 256Mb與DDR 256Mb eTT顆粒分別上漲至2.77美元以及2.76美元。而DDR 512Mb (64Mb×8) 400MHz 也上漲至5.38美元，遠(yuǎn)超過DDR2顆粒價(jià)格。

DDR2部分，因DRAM廠商90nm比重提高，因此DDR2 512Mb 667MHz產(chǎn)出逐漸增加，使得與DDR2 533MHz價(jià)差逐漸縮小，DDR2 512Mb 533MHz 與DDR2 512Mb 667MHz價(jià)差由上周0.18美元縮小到0.09美元。而DDR2 eTT為現(xiàn)貨市場(chǎng)流通量較大的顆粒，價(jià)格小幅度上漲到4.36美元，價(jià)差也與major 顆粒逐漸縮小。

在合約市場(chǎng)方面，8月上旬DRAM合約價(jià)大致上漲3 至5%。在DDR部分，價(jià)格上漲幅度較大，DDR 512MB模塊價(jià)格已經(jīng)達(dá)到最高成交到46美元，顯示供給量短缺嚴(yán)重。DDR2合約價(jià)格，調(diào)整幅度集中在之前報(bào)價(jià)較低的廠商，DDR2 512MB 533MHz平均成交價(jià)格41至44美元。而DDR2 512MB 667MHz則漲幅較小，與DDR2 533MHz價(jià)差逐漸縮小。

而整體DRAM市場(chǎng)仍處于DDR與DDR2雙缺的狀態(tài)，預(yù)期在8月下旬至9月合約價(jià)上漲趨勢(shì)仍不會(huì)反轉(zhuǎn)。雖然市場(chǎng)仍看好下半年微軟Vista 所帶動(dòng)的DRAM需求，但是持續(xù)上漲的DRAM價(jià)格已經(jīng)迫使PC OEM廠減緩PC中DRAM搭載量的增加速度，因此，DRAM合約價(jià)格屬于緩步上漲格局。

Samsung和Hynix相繼往下修正合約價(jià)，上周現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格開始回穩(wěn)

繼上上周NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)格大幅度向下修正后，上周NAND Flash現(xiàn)貨市場(chǎng)的現(xiàn)貨價(jià)格開始出現(xiàn)回穩(wěn)的跡象。主要原因在于一般月初上游廠商供貨較少，許多下游廠商在上月底時(shí)已經(jīng)拿了不少貨，因此，當(dāng)月初時(shí)并不積極進(jìn)入現(xiàn)貨市場(chǎng)拿貨；另一方面，兩大NAND Flash供貨商Samsung和Hynix都在七月底和八月初相繼往下修正官價(jià)，修正后的官價(jià)較之前的官價(jià)貼近目前現(xiàn)貨市場(chǎng)的行情，因此，現(xiàn)貨市場(chǎng)各種規(guī)格的NAND Flash價(jià)格開始漸漸回穩(wěn)。

將上周一和本周一的收盤價(jià)做一比較，可以發(fā)現(xiàn)主流規(guī)格產(chǎn)品4Gb和8Gb的價(jià)格波動(dòng)都在上下1%之內(nèi)，其余2Gb和16Gb也在1至2%之間，唯獨(dú)1Gb價(jià)格下跌速度較快。若觀察上周每一天各規(guī)格的現(xiàn)貨價(jià)走勢(shì)，可以發(fā)現(xiàn)4Gb的價(jià)格波動(dòng)幅度最小。

展望未來這一周整個(gè)NAND Flash現(xiàn)貨市場(chǎng)的狀況，DRAMeXchange認(rèn)為基本上和上周不會(huì)有太大的差別，NAND Flash現(xiàn)貨市場(chǎng)上仍有一定的基本需求存在，但目前這個(gè)時(shí)間點(diǎn)尚無任何一個(gè)足以刺激整個(gè)現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格往上攀升的因子出現(xiàn)。據(jù)我們的了解，目前市場(chǎng)已有傳聞Apple可能在本月中旬過后開始向Samsung和Hynix拿貨，如果這個(gè)傳言一旦屬實(shí)，對(duì)于整個(gè)現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格將有止跌回升的激勵(lì)作用出現(xiàn)。