DRAMeXchange指數(shù)于本月份七號到十三號，由3007下降至3000，反映DDR與DDR2現(xiàn)貨市場的價格均微幅走跌。現(xiàn)貨市場方面，DRAM價格買氣不振，DDR 256Mb (32Mb*8) UTT價格維持在1.79美元并無太大變化。DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz價格微幅下滑至2.08美元。至于DDR2部分現(xiàn)貨市場需求依舊疲弱，由于許多模塊廠DDR2庫存回補完畢后并無新增加的買盤，而在現(xiàn)貨市場主流需求仍在DDR顆粒，DDR2在計算機系統(tǒng)廠商停止在現(xiàn)貨市場收貨后，價格自三月初開始微幅下滑，DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)價格于上周由5.09美元下跌至5.04美元。而在NAND Flash 市場部份，本周NAND Flash現(xiàn)貨市場總的需求仍舊匱乏，隨著越來越多的NAND Flash貨源流入現(xiàn)貨市場，價格持續(xù)下滑并集中在1Gb 至4Gb，下滑幅度為5-8%；8Gb 至 16Gb NAND Flash現(xiàn)貨價的下滑趨向平緩，下滑幅度僅為1-2%。

回顧DRAM現(xiàn)貨價過去三個月走勢，DDR 256Mb 32Mbx8于去年十二月初，價格即在需求增強下，由2美元上漲15%，至一月中旬，價格達高點2.33美元后，價格反轉(zhuǎn)而下，下跌近11%，至今天的2.08美元。同時期， DDR 256Mb 32Mbx8 eTT(UTT)價格則由1.8美元，上漲近27%，至一月中旬，價格達高點2.3美元，幾乎與品牌顆粒同價位，之后價格于一月中旬反轉(zhuǎn)而下，下跌近22%，再回到1.8美元。歷史經(jīng)驗顯示，DDR顆粒的底部即將浮現(xiàn)，然而即使電子傳統(tǒng)淡季-第二季即將到來，DDR的向下跌幅預(yù)估不會超過10%，即會開始整理打底蓄勢向上。

依Intel的roadmap觀之，Intel于2006年第一季及第二季仍有約30%的865系列芯片組，70%為915/945系列，VIA支持DDR2芯片組至六月方上市，SIS則于Q3方量產(chǎn)支持DDR2的芯片組。AMD支持DDR2的CPU，M2也至六月方同時供應(yīng)現(xiàn)貨及合約市場。因此，保守估計，在計算機應(yīng)用內(nèi)存方面，DDR于Q2仍約占DDR及DDR2總合之四成。直至第四季，DDR的比例將降至二成以下。

而DDR2在現(xiàn)貨市場的走勢，則略不同于DDR的走勢。至十二月底，合約市場DDR2開始呈現(xiàn)缺貨效應(yīng)，使計算機系統(tǒng)大廠至現(xiàn)貨市場搶進DDR2，DDR2 512Mb 64Mbx8由3.75美元，在短短一個月內(nèi)，狂漲超過40%，至一月底價格來到高點5.29美元，二月一整個月價格維持在高點不變，直至三月初，價格方稍走軟，微跌5%，至5.04美元。同時期的DDR2 eTT 512Mb 64Mbx8，也呈現(xiàn)相同走勢，由3.02美元，上漲超過40%，至4.31美元，然后下跌6%，來到4.05美元。

展望第二季的合約價與現(xiàn)貨價格走勢，DRAMeXchange表示，淡季效應(yīng)雖會使價格有下跌壓力，但今年第二季價格下跌幅度應(yīng)不若去年第二季跌幅來的大。在三星(Samsung)持續(xù)增加Mobile RAM，Graphic memory比重下，commodity DRAM的產(chǎn)出成長將受限，Hynix 則于淡季來臨時，進行DRAM設(shè)備遷往中國無錫廠，使其第二季產(chǎn)出成長可能呈負成長10%QoQ。Micron則將重心轉(zhuǎn)往NAND Flash， commodity DRAM比重在其產(chǎn)品組合中將進一步下降。此外，DRAM廠積極轉(zhuǎn)進90奈米，良率問題亦可能限制第二季DRAM產(chǎn)出的成長。因此，DRAMeXchange進一步指出:第二季DRAM價格跌幅QoQ應(yīng)不會超過20%;以DDR2 512MB模塊為例，第一季合約價均價估計為38.8美元，換算為DDR2 512Mb顆粒價格為4.6美元，第二季512MB模塊均價應(yīng)不會低于31美元，以DDR2 512Mb來說，均價預(yù)估不會低于3.7美元。

NAND Flash高容量終端產(chǎn)品需求出現(xiàn)--減緩8Gb/16Gb NAND Flash顆?，F(xiàn)貨價下跌速度。

目前閃存卡和UFD(USB Flash Drive)制造商都在尋找容量1GB 及 2GB，相對使得8Gb和 16Gb的顆粒倍受關(guān)注。相對于歐洲和美國的市場，中國大陸、臺灣和韓國地區(qū)對這些產(chǎn)品的需求更為強勁。然而，每筆訂單所需數(shù)量依然呈現(xiàn)散單的狀況偏多。因此，此需求仍不足以提供一個強大的力量來改變目前的供需狀況。

至于1Gb 到 4Gb，需求主要來自禮品市場。但是，需求依然有限。而且隨著4Gb及以下低容量顆粒供應(yīng)的增加，未來幾周內(nèi)這些顆粒的現(xiàn)貨價格壓力將加大。

目前大家仍在等待正在德國漢諾威舉行的CeBIT之后的最終接單狀況。然而根據(jù)DRAMeXchange的觀察:今年來自CeBIT潛在需求會較往年差。