DRAMeXchange 指數(shù) ( 正對(duì)應(yīng)于 DRAM 總產(chǎn)值的指數(shù) ) 由上周的 3042 下降至 3015 。現(xiàn)貨市場(chǎng)方面，上周 DDR 256Mb (32Mb*8) UTT 在價(jià)格下跌最低至 1.75 美元后已有開始止跌反彈到 1.8 美元。 DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz 價(jià)格緩步下跌至 2.09 美元。至于 DDR2 部分雖然合約價(jià)仍有機(jī)會(huì)繼續(xù)往上。但在現(xiàn)貨市場(chǎng)，部分貿(mào)易商對(duì)于 DDR2 3 月以后價(jià)格走勢(shì)轉(zhuǎn)趨保守，因此開始出清手中庫存，DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8) 價(jià)格由 5.2美元小幅下跌至 5.15 美元。

DRAM 一月份總產(chǎn)出微幅下跌 0.4% MoM

根據(jù)內(nèi)存研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 統(tǒng)計(jì)，2006 年一月份的 DRAM 總產(chǎn)出約 671.8 million ( 約當(dāng) 256Mb) 較 2005 年十二月微幅下滑 0.4%. DDR 部份下降 0.3%，DDR2 部份下降 3.6%，SDRAM 上揚(yáng) 2.5%,而 Mobile RAM 及 Graphic memory 分別上揚(yáng) 9.5% 及 13.4%。單就 commodity DRAM(DDR1+DDR2) 而言，DDR2 比重降低至 39%，DDR1 則為 61%。以 DDR2 在合約市場(chǎng)需求比例平均己超過七成，現(xiàn)貨需求比例仍約一成下，DDR2 總需求比例己達(dá) 55%-60%，遠(yuǎn)超出 DDR2 產(chǎn)出比重 39%。而形成 DDR2 嚴(yán)重缺口。而 DDR1 價(jià)格未見大跌，除了受到 DDR2 價(jià)格支撐外 — 部份 OEM 廠愿意接受 DDR1 持平或小漲，以換取 DDR2 的供給量。事實(shí)上，某些 DRAM 廠在十月，十一月將產(chǎn)能由 DDR2 移轉(zhuǎn)至 Mobile RAM,Graphic memory 或 Consumer DDR，而非投回 commodity DDR。

目前 DDR2 緊缺狀況至少持續(xù)至三月底，而 DRAM 廠商也預(yù)計(jì)在三月繼續(xù)調(diào)漲 DDR2 合約價(jià)，估計(jì)三月上旬會(huì)至少調(diào)漲 5% 至 10%。DDR 則維持價(jià)平或小幅上揚(yáng)約 2%-3%。

三星的產(chǎn)能計(jì)畫

關(guān)于 Digitimes 于二月二十三日?qǐng)?bào)導(dǎo)談及 Samsung 于 2005 年底將 DDR2 產(chǎn)能轉(zhuǎn)往 NAND Flash，于農(nóng)歷年前又將約 20k-30k 的 NAND Flash 產(chǎn)能轉(zhuǎn)回 DDR2.Samsung 論及上述的推測(cè)乃根據(jù)市場(chǎng)假設(shè)，雖合理，但不全然如此。根據(jù) DRAMeXchange 的訪查，我們所統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，Samsung NAND Flash 產(chǎn)能于 2005 年每一季月投片量都持續(xù)迅速往上增加，而于今年第一季有稍微減少趨勢(shì)，第二季后投片量仍會(huì)增加，第三季及第四季，每季月投片量則維持穩(wěn)定，變化不大。

DRAM 方面，Samsung 于 2006 年產(chǎn)能規(guī)劃，DRAM 與 NAND Flash 的投片量相當(dāng)，約 1:1，因此在 DRAM 的每季月投片量，從去年第四季即維持穩(wěn)定至今年第二季。隨著新廠 Fab15 投片，整體產(chǎn)能調(diào)節(jié)，第三季 DRAM 月投片量會(huì)增加 5%-6%，第四季則維持穩(wěn)定。

2006 年，Samsung DRAM 年投片量 (8 吋約當(dāng) ) 較 2005 年增加約 8%，而 NAND Flash 總投片量，則較 2005 年增加約 25%。使 Samsung 的 NAND Flash 總投片量于 2006 年正式超過 DRAM 總投片量。

關(guān)于 Hynix，目前正準(zhǔn)備將位于 Icheon, Korea 的 DRAM 8 吋廠約 50K-60K 設(shè)備移往大陸無錫?？紤]到第二季是 DRAM 淡季，因此設(shè)備轉(zhuǎn)出及移入預(yù)計(jì)在三、四月，有近兩個(gè)月，將減少 50K-60K 的 8 吋 DRAM 產(chǎn)能，雖有 M10 十二吋廠及茂德中科廠產(chǎn)能增加，預(yù)估 Hynix 的第二季 DRAM 總出片量約減少 15% QoQ，第二季 DRAM bit growth 預(yù)估下降 10% QoQ。

NAND Flash 現(xiàn)貨價(jià)格下滑趨緩 , 供過于求阻礙了價(jià)格的反彈

月底壓力和需求疲軟使 NAND Flash 的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑，跌幅最大的是下降了 9% 的 2Gb NAND Flash 芯片。然而，我們觀察到 2 月的最后幾天 NAND Flash 下滑趨勢(shì)放緩，這是由于供應(yīng)商在現(xiàn)貨市場(chǎng)的鎖貨以及 2 月 NAND Flash 合約價(jià)的觸底。

8Gb 和 16Gb NAND Flash 芯片在上周初遭受了劇烈的價(jià)格下滑，2 月 22 日 當(dāng)天價(jià)格分別下跌 3.83% 和 6.9% 。我們看到韓國代理商和貿(mào)易商扮演了價(jià)格殺手的角色，以低價(jià)供應(yīng)大部分的高容量顆粒。

2006 年 2 月 21 到 27 日，1Gb 至 16Gb NAND Flash 現(xiàn)貨價(jià)格收盤價(jià)在 5.18 美元 、8.55 美元 、14.81 美元 、31.54 美元 、47.1 美元，分別下跌 -8% 、-9% 、-5% 、-7% 、-8% 。

DRAMeXchange 對(duì) 3 月 NAND Flash 現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)依然不 太樂觀?？偟男枨笏坪跞詼?。盡管國內(nèi)的一些存儲(chǔ)卡制作商在此價(jià)格走低的行情下，已開始提高他們的顆粒消耗量，但有限的進(jìn)貨數(shù)量仍不足以恢復(fù)到供需平衡。除非 NAND 和 DRAM 1 月時(shí)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)換足夠大到以減少 NAND Flash 3 月的產(chǎn)出，否則，我們認(rèn)為 NAND Flash 市場(chǎng)本月仍將處于供應(yīng)過求的狀況。