By Joyce Yang, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange

7/15 至8/5之間，主流顆粒DDR 256Mb 400/333MHz 的價格在US$2.68至$2.73的狹幅區(qū)間震蕩。但，從8/6開始，價格開始有緩慢下滑的趨勢。而8/8至8/15，400MHz自US$2.70下跌至US$2.61，跌幅3.3%。而333MHz 則是自US$2.71下跌至US$2.63，跌幅3%。

eTT(UTT)的價格亦飽受價格下跌之苦，256Mb eTT的現(xiàn)貨價格自US$2.56下跌至US$2.50。疲軟的需求，使得通路商的報價因此下滑。然而，我們發(fā)現(xiàn)，價格下滑并沒有因此而刺激實質的交易，由于，買家認為價格將在短期內回升，因此不愿以低價釋出手中的現(xiàn)貨，市場上的交易量十分有限。

八月下旬合約價呈現(xiàn)微跌走勢

雖然DRAM 制造商企圖提高報價，PC OEMs 仍舊以八月上旬的合約價為議價基準。我們觀察到，相較上次的合約價，PC OEMs所愿意接受八月下旬的價格，不得多出0.5美元的區(qū)間或者頂多接受持平的價格，這樣的價格著實令DRAM制造商大失所望。

DRAMeXchange 預期，受到歐洲市場的需求及傳統(tǒng)旺季即將到來的影響，無論合約價及現(xiàn)貨價將在九月恢復上漲的價格走勢。

By Judy Chen, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange

本周NAND Flash 現(xiàn)貨價格小跌2至4個百分點

上周，8/9至8/16 現(xiàn)貨市場NAND Flash的交易情況顯得清淡許多。雖然，來自OEM 端對MP3P及手基的需求仍舊十分強勁，但現(xiàn)貨市場的需求卻顯得十分疲軟。一些貿易商及通路商對于未來走勢的心態(tài)由樂觀轉為懷疑，在此不確定的情況下，部分業(yè)者開始在現(xiàn)貨市場上拋貨。

NAND Flash1G/2G/4G/8G8/15的現(xiàn)貨價分別以US$7.08/US$13.22/US$23.45/US$45收盤，跌幅2至4個百分點。

八月NAND Flash 的合約價仍舊處于下跌的走勢

由于NAND Flash 的供給競爭激烈，使得主要的供貨商不停的壓低高容量顆粒的價格以增加新進入的廠商壓力。這樣的舉動，會刺激市場對高容量NAND Flash的需求增加，對于晚進入的廠商而言，由于制程及良率的問題使得他們承受了毛利不斷被擠壓的壓力。八月的狀況亦然，因此我們相信，即使在近來NAND Flash的缺貨壓力下，合約價仍就會微幅的向下調整。以16Gb的合約價降幅最大。我們估計，16Gb八月的合約價將會從七月的US$100下跌10個百分點。NAND Flash的主流顆粒會因為容量增大及制程演進而使成本降低使由2Gb移往4Gb。

在此，我們以16Gb為例子來計算每MB的單位成本，來更近一步解釋供給端及需求端為何不段的移往高容量的顆粒的原因。以我們上述所提16Gb本月合約價格來算，每MB的單位成本為US$0.04 比2Gb的每MB單位成本US$0.05還要來得低。在低單位成本的驅動下，需求端的制造商紛紛的將產品移往更高容量的NAND Flash且增加整體MB的搭載率。同時，終端的消費者將會有更多價格上的誘因購買高容量的產品。

八月最新的合約價于8/17公布于DRAMeXchange的網站