By Joyce Yang, Marketing Intelligence Team, DRAMeXchange

主流顆粒 DDR 256Mb 32Mb 400/333MHz 上周行情呈現(xiàn)狹幅區(qū)間震蕩，從6/7到6/14, 400MHz的價(jià)格從$2.42~$2.45的價(jià)格區(qū)間下跌至$2.39, 而333MHz則是一度從$2.39上漲了2.5%到$2.45之后又下跌至$2.42。

由于中國(guó)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求以及Hynix 的供貨有限，DDR 512Mb 64Mbx8 400MHz的價(jià)格呈現(xiàn)一路上漲的走勢(shì)，從$4.82上漲了4個(gè)百分點(diǎn)至$5.01。同時(shí)，DDR2 512Mb 64Mbx8 533MHz則是由$5.87下跌至$5.76。根據(jù)我們對(duì)通路商的訪查，由于DDR模塊可以超頻至500MHz以上的頻率速度，因此終端買(mǎi)家對(duì)采購(gòu)DDR2-533MHz顯得興趣缺缺，加上DDR2 677MHz的芯片組要到第三季才會(huì)上市，因此DDR2的模塊就相對(duì)的顯得乏人問(wèn)津。 然而，許多DRAM制造商在轉(zhuǎn)換制程及量產(chǎn)DDR2的同時(shí)，也囤積了不少DDR2的存貨。我們相信，DRAM廠為消化存貨壓力, 將會(huì)將低良率的DDR2顆粒倒進(jìn)現(xiàn)貨市場(chǎng)且目前DDR2的現(xiàn)貨價(jià)格將因此而再度下跌，且在未來(lái)甚至?xí)菵DR的顆粒還要來(lái)得低價(jià)。由于Powerchip 對(duì)現(xiàn)貨場(chǎng)上eTT(UTT) 的供貨十分有限，因此eTT(UTT)價(jià)格走勢(shì)仍舊十分的正面，從$2.2上漲至$2.28。同時(shí)，一些通路商以及模塊廠一方面預(yù)期未來(lái)的價(jià)格走勢(shì)將會(huì)上揚(yáng)，一方面為了旺季的到來(lái)而囤積eTT的存貨。然而，許多市場(chǎng)人士則是認(rèn)為Powerchip將會(huì)放寬對(duì)現(xiàn)貨市場(chǎng)的供貨，而eTT的價(jià)格則會(huì)因此而呈現(xiàn)疲軟的走勢(shì)。

市場(chǎng)上的需求使得SDRAM 1Mx16 及4Mx16的價(jià)格走勢(shì)十分看好

低容量的SDRAM 1Mx16 及 4Mx16的價(jià)格分別由$0.48上漲至$0.49 及$1.03上漲至$1.04. 跟據(jù)通路商的來(lái)源指出，Samsung 已經(jīng)停止低容量SDRAM的供貨且Hynix 也已經(jīng)降低低容量SDRAM的產(chǎn)能，市場(chǎng)人士相信低容量SDRAM的價(jià)格將會(huì)因此而上揚(yáng)。因此，買(mǎi)家將會(huì)發(fā)現(xiàn)他們愈來(lái)愈難以低價(jià)在市場(chǎng)上買(mǎi)進(jìn)低容量SDRAM。

Nand flash 的價(jià)格從上周的高點(diǎn)滑落

就Nand flash而言，當(dāng)Hynix 在星期四以低價(jià)出貨的Nand flash產(chǎn)品到中國(guó)香港以及中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)，Hynix Nand flash 1Gb/2Gb的價(jià)格從上周的高點(diǎn)滑落。此舉對(duì)整個(gè)的市場(chǎng)十分具有影響力。Samsung的貨將會(huì)在星期五到達(dá)中國(guó)香港，且許多買(mǎi)家預(yù)期Samsung 將會(huì)跟隨Hynix的腳步降低合約價(jià)，因此買(mǎi)家們紛紛暫停了買(mǎi)貨的動(dòng)作以觀望是否價(jià)格如期下跌。自6/6到6/14，Nand flash 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb的均價(jià)從$8.0/$13.37/27.7分別下跌至$8.04/$12.96/$26.66。Hynix1Gb/2Gb今日的價(jià)格則是收盤(pán)在$7.15及$12.2。