*By Judy Chen, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

DRAM現(xiàn)貨價格因中國長假效應(yīng)與月底做帳效應(yīng)的相互抵銷而維持不變

上星期碰巧是中國長假前一周與月底, 兩者對于價格產(chǎn)生的一增一減的作用使得最終的價格維持不變. DRAM的主要顆粒價格如下, DDRII 256Mb 32Mbx8 533MHz以及 512Mb 64Mbx8 533MHz的價格分別是USD3.66及USD6.04; DDR 256Mb 32Mbx8 400MHz 以及 333MHz 的價格分別是USD2.39及 USD2.36.

eTT是上星期現(xiàn)貨市場主要需求的顆粒.需求不僅來自大陸亦有美國的需求出現(xiàn), 越來越多的需求使得eTT現(xiàn)貨價格上下起伏變動劇烈. 價格曾高達USD2.22亦跌到USD2.05之后又回升到USD2.2. 現(xiàn)今的價格已接近原廠的成本,已有原廠表示不愿將價格下降到低于USD2出售,因此我們認為近期會看到eTT的價格回升.

SDRAM現(xiàn)貨需求依然不好

上周的需求依然是高容量的顆粒如 256Mb 16Mbx16 133MHz與128Mb 8Mbx16 133MHz, 價格分別是USD3.65 與 USD2.07. 然而, 低容量的SDRAM現(xiàn)貨需求依然不好因為大多數(shù)的需求已經(jīng)在合約市場被滿足使得現(xiàn)貨價又較上周下跌了一些.

需求已從高容量的NAND Flash轉(zhuǎn)到低容量

NAND Flash來自MP3P與記憶卡的需求以不如今年第一季強烈. 那時的MP3P熱潮是因為iPod Shuffle的出現(xiàn)進而將NAND Flash的供需平衡打亂, 除此之外亦將主流容量提升. 之后, 我們就發(fā)現(xiàn)其它品牌如Creative使用降價來維持市占率. 至于記憶卡的需求, 我們認為是來自去年圣誕假期之后所產(chǎn)生的零售售后市場. 然而,現(xiàn)在的NAND Flash需求已轉(zhuǎn)移到以64MB(512Mb)為主的手機市場, 此轉(zhuǎn)變使得總NAND Flash的使用量劇降.

上周的現(xiàn)貨價格是呈現(xiàn)高容量的顆粒(4Gb and 8Gb)價格跌; 1Gb與 2Gb的價格持平; 低容量的512Mb價格則漲. 512Mb的顆粒于上星期依然是最熱門的, 現(xiàn)貨價格上漲4%到USD5.44. 強勁的需求來自手機內(nèi)鍵或贈送的記憶卡. 因為現(xiàn)在512Mb的供給有限使得現(xiàn)貨價格上漲, 此漲勢將持續(xù)到供給增加為止. 目前看來下個月某家韓國廠商會有以90nm 的制程512Mb樣品, 等到量產(chǎn)后512Mb的供需將會再度平衡.