*By Joyce Yang, Market Intelligence Team, DRAMeXchange
上周,eTT(UTT)的價格主導了現(xiàn)貨市場的買盤,成交價從四月二十九日$1.91~$1.93一路飆漲了將近13個百分點,四月二十五日在亞洲晚盤以$2.15~$2.18收盤。同時期,DRAM主流顆粒DDR 256Mb 32Mx8 400/333/266 MHz的價格僅小幅上揚從$2.34, $2.30,$2.39,上漲1.74, 2.1及0.4 個百分點,以$2.39, $2,34 及$2.40收盤。
強勁的需求主要來自中國市場,中國臺灣及中國香港主要模塊廠商及通路馬上緊接跟進,根據(jù)通路消息, 據(jù)說有某主要模塊廠商大舉購買eTT顆粒, 可能在短期內(nèi)會導致eTT的供給吃緊,因此而提升了整體購買eTT的買氣。
DDR的價格將會在短期之內(nèi)反彈?
即使四月上旬DRAM的合約價仍是下跌的趨勢,我們?nèi)杂^察到許多市場上的人士對DRAM DDR 256Mb合約及現(xiàn)貨價格未來的走勢轉(zhuǎn)為樂觀,原因如下:
第一、如果DRAM的價格持續(xù)下跌,將會有更多的產(chǎn)能被移轉(zhuǎn)到生產(chǎn)NAND Flash。消息指出,三星及Hynix已有計劃要將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)到NAND Flash。而產(chǎn)能分配的時間表以及生產(chǎn)量的分配將隨著市場上的情況而做調(diào)整。 第二、隨著DDR2與DDR的價差已經(jīng)下跌到五個百分點,很快的這樣的價差會趨近于零,DDR2將很快地取代DDR而成為新一代的主流。第一季,DDR2產(chǎn)出只占整體DRAM的產(chǎn)出的20%~25%,預期在第二季DDR2的比重將會增加到四十個百分點。因為大量轉(zhuǎn)換至DDR2及高容量顆粒, 初期,DDR2良率偏低及后段產(chǎn)能不足將使DRAM的位供給成長將受限制, 第三、我們相信DRAM DDR的下跌空間有限且為了提升每臺個人計算機內(nèi)存的搭載量,部分計算機系統(tǒng)大廠將會提高進貨量,對未來的返校需求作準備。一般而言, 預備旺季的到來,計算機系統(tǒng)大廠會在第二季季底提升庫存水位,從最少的二周提升到四周或是最高的六周。然而,提升庫存水位的時間點將會隨著DRAM價格的行情以及預期的需求而做變動。
NAND Flash市場的最新訊息
就NAND Flash而言,主流顆粒,的價格呈現(xiàn)微幅下跌的走勢。四月十九日NAND Flash 1Gb/2Gb/4Gb及8Gb的價格為$59.32, $32.05, $18.9及$8.57,而在四月二十五的晚盤分別以$59.23, $31.8, $18.9及$8.46收盤。最近,我們可以看出由于供給吃緊,以及需求遲緩使得現(xiàn)貨市場的交易量變得很有限。


