*By Judy Chen, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

需求疲弱導(dǎo)致DRAM價(jià)格下跌

雖然這星期的DRAM現(xiàn)貨市場供給有限但是需求依然疲弱不振, 使得多數(shù)的買主不敢進(jìn)場, 而是在場邊等待價(jià)格落底. DDRII的價(jià)格下跌6-8%成為這星期價(jià)格下跌幅度最大的產(chǎn)品. DDR 256Mb 32Mbx8 400/333MHz 兩者的價(jià)格均下跌 2%到USD2.52與USD2.43. DDRII 512Mb 64Mbx8 533/400MHz 的價(jià)格則分別是下跌4% 與 5%到USD7.66與USD7.12.

eTT的價(jià)格走勢與DDR的相同, 這星期因?yàn)閬喼迏^(qū)的賣方出清產(chǎn)品導(dǎo)致最低價(jià)跌到USD2.08. 然而, 其于地區(qū)的買方則認(rèn)為價(jià)格已落底而進(jìn)廠購買.

8Mbx16 SDRAM現(xiàn)貨價(jià)上漲1%

SDRAM這星期的現(xiàn)貨市場依然很安靜, 唯一的好消息是某韓國廠商決定減少SDRAM. 這星期的市場焦點(diǎn)放在如8Mbx16與 4Mbx16的低容量顆粒. 128Mb 8Mbx16 133MHz 的現(xiàn)貨價(jià)格則從USD2.1上漲1%到USD2.11, 反之 , 64Mb 4Mbx16的顆粒則下跌1%.

512Mb NAND Flash 價(jià)格上漲4%

總而言之這星期的NAND flash價(jià)格因供給依舊很緊使得現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)上漲. 然而, 為了誘導(dǎo)主流容量升級(jí)的趨勢依舊我們依然看到高容量顆粒的價(jià)格下跌. 需求方面, 強(qiáng)烈的需求則是依然來自中國. 在低容量的顆粒512Mb以及256Mb上現(xiàn)貨的價(jià)格上漲2-4%, 而512Mb價(jià)格上漲的原因來自某韓國廠商決定停止以120nm的制程使得這星期的現(xiàn)貨價(jià)上漲到USD4.84. 其它的顆粒只有1Gb與 8Gb呈現(xiàn)下跌的現(xiàn)貨走勢, 價(jià)格分別跌到USD8.56與USD59.42.