當(dāng)各家DRAM廠紛紛大幅投資興建12寸廠且努力擴(kuò)增現(xiàn)有12寸廠產(chǎn)能時(shí)，在講求利用最先進(jìn)制程以降低成本的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)上，8寸廠將逐漸失去成本優(yōu)勢(shì)，面對(duì)此一情形，多家DRAM廠已陸續(xù)開(kāi)發(fā)去化8寸產(chǎn)能的新策略。

三星已擴(kuò)增產(chǎn)品種類(lèi)，來(lái)?yè)尨钍謾C(jī)及消費(fèi)性電子產(chǎn)品新需求成長(zhǎng)的機(jī)會(huì)。受到手機(jī)、數(shù)位相機(jī)、行動(dòng)硬盤(pán)等產(chǎn)品強(qiáng)勁需求成長(zhǎng)的影響，NAND flash在2003年產(chǎn)出位數(shù)成長(zhǎng)百分之一百八十且受到平均產(chǎn)品價(jià)格每季下跌百分之二十的影響，2004年產(chǎn)出位數(shù)預(yù)期將上漲百分之一百八十。
在NAND flash產(chǎn)出位數(shù)大幅成長(zhǎng)百分之一百八十而DRAM位成長(zhǎng)百分之五十的情況下，三星的NAND flash出貨量將在今年第四季超越DRAM。在非DRAM營(yíng)收部份的成長(zhǎng)，今年預(yù)期將從去年的百分之三十三提高到百分之四十八。

同樣的，海力士也已分撥更多的產(chǎn)能來(lái)生產(chǎn)system IC及NAND flash。在今年第二季的營(yíng)收?qǐng)?bào)告里，system IC占該公司整體營(yíng)收的百分之十七而SRAM/Flash則占有百分之五的比重。在NAND flash市場(chǎng)上大力擴(kuò)增產(chǎn)能情況下，海力士在flash投片量從今年三月時(shí)的20K增加到六月的35K，預(yù)料近期將達(dá)到40K。

美光的非DRAM部門(mén)占總體營(yíng)收的百分之十五，而其中有很大的部份是來(lái)自CMOS。美光已預(yù)測(cè)今年將銷(xiāo)售四千至六千萬(wàn)手機(jī)用感應(yīng)器。在現(xiàn)有月產(chǎn)能八寸200K情況下，美光必須擴(kuò)增新產(chǎn)品線(xiàn)來(lái)增加毛利率且分散風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)美光而言，CMOS顯然是條不錯(cuò)的出路。

至于臺(tái)灣的DRAM廠，力晶計(jì)劃藉由提撥四成產(chǎn)能至代工來(lái)增加非DRAM部份的營(yíng)收。力晶將持續(xù)擴(kuò)增產(chǎn)品種類(lèi)組合，跨足消費(fèi)性RAM, ASIC, CMOS, Flash及system IC。茂德也致力增加代工比重，將產(chǎn)出由今年第二季的15K提高到第四季的25K，增加的絕大部份是來(lái)自Pseudo SRAM與低功率SDRAM。不過(guò)南亞科技還是將主力放在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上，其今年代工比重只占產(chǎn)能的一成。

隨著手機(jī)及通訊產(chǎn)品需求加溫，DRAM的應(yīng)用也將相對(duì)多元化，而非僅局限于個(gè)人電腦上。在非DRAM產(chǎn)品有較高毛利率的帶動(dòng)下，未來(lái)DRAM廠將持續(xù)朝產(chǎn)品線(xiàn)多角化前進(jìn)。


本周DRAM現(xiàn)貨價(jià)格

	2004/7/27	2004/7/28	2004/7/29	2004/7/30	2004/8/2	2004/8/3	Change
256Mb 32Mx8
DDR400	4.63	4.58	4.57	4.56	4.55	4.47	-3.46%
DDR333	4.54	4.45	4.45	4.44	4.42	4.39	-3.30%
DDR266	4.53	4.56	4.56	4.45	4.42	4.39	-3.09%
SDRAM
1Mx16/166	1.00	0.98	0.96	0.95	0.94	0.93	-7.00%
4Mx16/166	2.55	2.49	2.41	2.35	2.33	2.29	-10.20%
8Mx16/133	4.09	4.07	4.05	4.03	4.01	3.97	-2.93%
16Mx16/133	4.45	4.45	4.45	4.43	4.42	4.42	-0.67%
16Mx8/133	4.32	4.28	4.26	4.26	4.24	4.24	-1.85%
32Mx8/133	4.42	4.42	4.42	4.41	4.40	4.38	-0.90%