2023-04-20
2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存）——HBM3*的技術(shù)界限，全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB...
2023-04-13
4月12日，存儲器控制芯片廠商群聯(lián)公布2023年3月份營運結(jié)果，合并營收為新臺幣39.25億元，較2月份成長近20%，較2022年同期減少62....
2023-04-07
參展的服務(wù)器內(nèi)存，是金泰克在企業(yè)級存儲領(lǐng)域的重大突破與布局，其中DDR5以5600MHz高頻、64GB大容量，1.1V低電壓，成為企業(yè)降本增效的新型利器；工控類涵蓋...
2023-03-31
美國南加州大學(xué)電氣和計算機工程教授楊建華及合作者在最新一期《自然》雜志上刊發(fā)論文稱，他們已經(jīng)為邊緣人工智能（便攜式設(shè)備內(nèi)的人工...
2023-03-29
據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道，針對市場關(guān)注的存儲產(chǎn)業(yè)景氣，群聯(lián)電子CEO潘健成于3月28日表示，今年IC設(shè)計很辛苦，不過在原廠賠本...
2023-03-29
3月28日，硅智財供貨商力旺電子與晶圓制造廠商聯(lián)華電子共同宣布，力旺的可變電阻式內(nèi)存(RRAM)硅智財已通過聯(lián)電22納米超低功耗的可靠度...
2023-03-28
據(jù)光谷金控消息，3月27日，光谷金控集團與北京特納飛電子技術(shù)有限公司簽署協(xié)議，特納飛存儲基地項目將入駐光谷筑芯科技產(chǎn)業(yè)園...
2023-03-21
近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型...
2023-03-20
據(jù)華爾街日報報道，存儲器大廠美光科技計劃在美國紐約州錫拉丘茲地區(qū)投資1000億美元建設(shè)一個半導(dǎo)體制造園區(qū)，該園區(qū)將于2024年起開...
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