2019-04-20
4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品，已開始向客戶提供5納米多項目晶圓服務(wù)...
2019-04-19
由于幾位美國記者表示，他們手上的三星折疊式樣機(jī)出現(xiàn)故障，三星周四表示，將親自仔細(xì)檢查這些手機(jī)，以確定問題的原因。三星指出，這些是提供給媒體用于評測的可折疊手機(jī)的樣機(jī)，數(shù)量有限。如果去除手機(jī)顯示屏上的保護(hù)層，可能造成熒幕損壞，公司將把該信息明確告知用戶。如需獲取更多資訊，請關(guān)注全球半導(dǎo)體觀察官網(wǎng)（www.0318hs.cn）或搜索微信公眾賬號（全球半導(dǎo)體觀察）。
2019-04-17
晶圓代工龍頭臺積電也在傍晚宣布，推出 6 納米 (N6) 制程技術(shù)，除大幅強(qiáng)化目前領(lǐng)先業(yè)界的 7 納米 (N7) 技術(shù)之外，還協(xié)助客戶在效能與成本之間取得高度競爭力的優(yōu)勢，同時藉由 N7 技術(shù)設(shè)計的直接移轉(zhuǎn)而達(dá)到加速產(chǎn)品上市的目標(biāo)。
2019-04-16
4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。與7納米工藝相比，三星的5納米FinFET工藝技術(shù)提供了高達(dá)25%的邏輯面積效率提升。
2019-04-10
晶圓代工龍頭臺積電計劃在今年啟動全球首座5納米晶圓廠，近日宣布制程進(jìn)入試產(chǎn)階段，雖然因景氣狀況傳出廠房投片速度可能放緩，供應(yīng)鏈相關(guān)人士表示，臺積電仍在全力推動5納米晶圓廠生產(chǎn)狀態(tài)。
2019-03-29
三星 Exynos 9710 中階處理器雖然即將發(fā)表，依三星過往慣例，可能要有新一代中階手機(jī)問世才有機(jī)會看到。至于其他品牌手機(jī)采用的機(jī)率，更是微乎其微，市場也只能體驗到號稱 Exynos 9710 的競爭對手——高通驍龍 660 或驍龍 675 等產(chǎn)品。
2019-03-26
根據(jù)彭博社報導(dǎo)，三星今 (26) 發(fā)出警告表示，第一季業(yè)績可能不如市場預(yù)期，因為面板和存儲器市場疲軟。三星將在下個月初公布業(yè)績，而在業(yè)績公布前提早宣布獲利的警訊讓市場大出意外，而三星股價在開盤時下滑約 1%。
2019-03-22
在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）制程陸續(xù)進(jìn)入 1X 及 1Y 制程領(lǐng)域之后，全球 DRAM 龍頭南韓三星 21 日宣布，首次業(yè)界開發(fā)第 3 代 10 納米等級（1Z 納米制程）8GB 高性能 DRAM。
2019-03-21
三星的Flashbolt KGSD基于八個16-Gb存儲器晶元，這些晶元使用TSV（通過硅通孔）以8-Hi堆棧配置互連。每個Flashbolt封裝都具有1024位總線，每個引腳的數(shù)據(jù)傳輸速率為3.2 Gbps，因此每KGSD可提供高達(dá)410GB/s的帶寬。
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