SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。

在同樣的運(yùn)作頻率下，由于 SRAM 對稱的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得每個記憶單元內(nèi)所儲存的數(shù)值都能以比 DRAM 快的速率被讀取。按產(chǎn)生時間和工作方式來分，靜態(tài)隨機(jī)存儲器也分為異步和同步。在一定的納米制造技術(shù)下，SRAM容量比其它類型內(nèi)存低，這是因?yàn)镾RAM需要用更多的晶體管存儲一個位（bit），因而造價也貴得多。由于 SRAM 通常都被設(shè)計(jì)成一次就讀取所有的數(shù)據(jù)位 (Bit)，比起高低地址的數(shù)據(jù)交互讀取的 DRAM，在讀取效率上也快上很多。因此，雖然 SRAM 的生產(chǎn)成本比較高，但在需要高速讀寫數(shù)據(jù)的地方，如靜態(tài)隨機(jī)存儲器多用于二級高速緩存（Level 2 Cache）。