SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM

SDRAM的行地址線和列地址線是分時復用的，即地址要分兩次送出，先送出行地址，再送出列地址。這樣，可以大幅度減少地址線的數(shù)目。提高器件的性能。但尋址過程也會因此而變得復雜。新型SDRAM的存儲容量一般比較大，如果采取簡單的陣列結(jié)構(gòu)，就會使存儲器的字線和位線的長度、內(nèi)部寄生電容和寄生電阻都變得很大，從而使整個存儲器的存取速度變慢。實際上，現(xiàn)在的SDRAM一般都以BANK（存儲塊）為組織，將存儲器分成很多獨立的小塊。由BANK地址線BA控制BANK間的選擇，行地址線和列地址線貫穿所有的BANK，每個BANK的數(shù)據(jù)的寬度和整個存儲器的寬度相同，這樣，可以降低字線和位線的長度。從而加快數(shù)據(jù)的存儲速度。同時，BA還可以使未被選中的BANK工作于低功耗的模式下，從而降低器件的功耗。

SDRAM的基本信號可以分成以下幾類：

1.控制信號：包括片選（CS），同步時鐘（CLK),時鐘有效信號（CKE),寫允許信號（WE)，數(shù)據(jù)有效信號（DQM);

2.地址選擇信號:行地址選擇（RAS)、列地址選擇（CAS)、行/列地址線（A0-A12)、BANK地址線（BA0-BA1);

3.數(shù)據(jù)信號：包括雙向數(shù)據(jù)端口（DQ0-DQ15)、數(shù)據(jù)有效信號DQM等，DQM為低時，寫入/讀出有效；

SDRAM的基本命令

要正確對SDRAM進行操作，就必須輸入多種命令，包括：模式寄存器設(shè)置、預充電、  突發(fā)停止及空操作等。 SDRAM的內(nèi)部狀態(tài)會根據(jù)下表的命令進行轉(zhuǎn)移。其中，命令COM={CS#,RAS#,CAS#,WE#},也就是說，在這四條線上傳輸命令。