DDR2的定義

DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它采用了在時(shí)鐘的上升/下降延時(shí)同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞?，使DDR2內(nèi)存擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。也就是說，每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。 DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定DDR2內(nèi)存均要采用FBGA封裝形式，和目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式是不同的。因?yàn)镕BGA封裝可以提供了更良好的電氣性能和散熱性，只有采用新的封裝形式，DDR2內(nèi)存才能穩(wěn)定工作并且逐步提高運(yùn)行頻率。

第一代DDR的技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了極限，很難再提高內(nèi)存的工作頻率；隨著CPU主頻的提高，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求也更高，第一代DDR技術(shù)勢必會(huì)被淘汰而有著較高頻率的DDR2內(nèi)存會(huì)有更好的發(fā)展前途。

DDR2與DDR的區(qū)別

DDR2內(nèi)存除了與DDR內(nèi)存在顆粒等方面外形上的不同，從技術(shù)角度來說也有著更多的不同之處。我們主要從以下三個(gè)方面進(jìn)行探討。

1、內(nèi)存時(shí)序延遲問題：

在相同的核心頻率情況下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這是因?yàn)镈DR2內(nèi)存擁有兩倍于DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。雖然DDR2和DDR進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞揭粯?，但DDR2卻擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。 但是在同等工作頻率的DDR和DDR2內(nèi)存中，后者的內(nèi)存延時(shí)要慢于前者。所以較高的內(nèi)存時(shí)序延遲問題，也影響了DDR2內(nèi)存的性能，不過DDR2過高的工作頻率可以彌補(bǔ)這個(gè)缺點(diǎn)。

2、內(nèi)存的封裝和發(fā)熱量：

DDR2內(nèi)存除了有兩倍于DDR的傳輸能力，更重要的是它采用更低發(fā)熱量、更低功耗的FBGA封裝形式，使DDR2可以輕松實(shí)現(xiàn)頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。因?yàn)镈DR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式超過200MHz或更高頻率時(shí)，它的管腳就會(huì)產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，會(huì)影響它的穩(wěn)定性和頻率提升。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，提供了更好的電氣性能與散熱性，所以相對(duì)DDR來說更容易超頻。。

3、DDR2采用的新技術(shù)：

相比較DDR,DDR2采用了三項(xiàng)新的技術(shù)，它們是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅(qū)動(dòng)調(diào)整，DDR II通過OCD可以提高信號(hào)的完整性。

ODT：ODT是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。DDR2可以根據(jù)自已的特點(diǎn)內(nèi)建合適的終結(jié)電阻，這樣可以保證最佳的信號(hào)波形。

Post CAS：它是為了提高DDR II內(nèi)存的利用效率而設(shè)定的。

簡單地總結(jié)一下，DDR2采用了FBGA封裝形式和新技術(shù)，以較低的發(fā)熱量和較高的工作頻率，能夠滿足未來PC對(duì)內(nèi)存帶寬的要求，在DDR3內(nèi)存還沒有普及的情況下，DDR2內(nèi)存在未來的幾年里仍是內(nèi)存技術(shù)發(fā)展的主流。當(dāng)然DDR2內(nèi)存較高延遲等缺點(diǎn)也是不容忽視的。但是瑕不掩玉，淘汰DDR，推行DDR2已是各大IT廠商主要工作。

DDR2 與 DDR3 的差異

目前，DDR2內(nèi)存在市場上如火如荼，如日中天。但是DDR2也不是沒有缺陷的。隨著技術(shù)的更新，人們更多的期望DDR3內(nèi)存能替代DDR2，成為市場的寵兒。那么DDR2與DDR3的差異在哪？

1.              DDR3 采 8 bit 預(yù)取設(shè)計(jì)，較 DDR2 4bit 的預(yù)取設(shè)計(jì)為倍數(shù)成長，運(yùn)算頻率介于 800MHz -2100MHz 。

2.              DDR3 的規(guī)格要求將電壓控制在 1.5V ，比 DDR2 的 1.8V 更為省電。

3.              DDR3 采用 ASR(Automatic self-refresh) 的設(shè)計(jì)，以確保在數(shù)據(jù)不遺失情況下，盡量減少更新頻率來降低溫度。

4.              DDR2 為 0.11um 制程上生產(chǎn)， DDR3 估計(jì)會(huì)在 90nm或65nm的制程上量產(chǎn)。

5.              DDR3采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。

僅從技術(shù)角度上分析，DDR3取代DDR2指日可待。