2023-03-15
前10年一直在消費(fèi)電子領(lǐng)域沖浪的氮化鎵（GaN）技術(shù)不斷創(chuàng)新發(fā)展，近兩年來(lái)逐漸在汽車(chē)、數(shù)據(jù)通信以及其他工業(yè)應(yīng)用等行業(yè)嶄露頭角...
2023-03-13
近日，西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片...
2023-03-10
3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(shū)（草案）（修訂稿）》...
2023-03-09
第三代半導(dǎo)體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景，能進(jìn)一步提升電動(dòng)汽車(chē)與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率...
2023-03-08
3月4日，全國(guó)兩會(huì)正式開(kāi)幕。其中國(guó)務(wù)院總理李克強(qiáng)、國(guó)務(wù)院副總理劉鶴、全國(guó)政協(xié)委員張英等人提及“集成電路”、“芯片”等關(guān)鍵詞...
2023-03-08
今日，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)灣中山大學(xué)晶體研究中心已成功長(zhǎng)出6英寸導(dǎo)電型4H碳化硅單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長(zhǎng)速度達(dá)到...
2023-03-07
據(jù)國(guó)家級(jí)嘉興經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)消息，3月6日，博康（嘉興）半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目開(kāi)工儀式在嘉興經(jīng)開(kāi)區(qū)城南街道工業(yè)園區(qū)舉行...
2023-03-03
2023年以來(lái)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資熱度不減，簽約、開(kāi)工、投產(chǎn)消息不斷傳來(lái)。而近期，又有一批產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目迎來(lái)了新的進(jìn)展...
2023-03-02
近日，長(zhǎng)城汽車(chē)官方宣布，其森林生態(tài)體系的一員——長(zhǎng)城無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯動(dòng)半導(dǎo)體”）“第三代半導(dǎo)體模組封測(cè)項(xiàng)目”奠基典禮在...
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