多內(nèi)核是指在一枚處理器中集成兩個或多個完整的計算引擎(內(nèi)核)，多核處理器是單枚芯片(也稱為“硅核”)，能夠直接插入單一的處理器插槽中，但操作系統(tǒng)會利用所有相關(guān)的資源，將它的每個執(zhí)行內(nèi)核作為分立的邏輯處理器。通過在兩個執(zhí)行內(nèi)核之間劃分任務(wù)，多核處理器可在特定的時鐘周期內(nèi)執(zhí)行更多任務(wù)。
SSD（Solid State Disk，固態(tài)硬盤）和Hybrid Drive（混合硬盤）由于引入了快閃存儲器技術(shù)來提高性能，因此被稱做“下一代的存儲設(shè)備”?？墒牵虘B(tài)硬盤與混合硬盤的技術(shù)差異有哪些呢？
CFC為 Compact Flash Card 的簡稱，平時我們說它為CF卡，SSD solid state disk 即固態(tài)電子硬盤，因其里面沒有機械結(jié)果，所以又叫電子盤。CF卡和SSD其存儲主要組成部分都是NAND Flash和控制器。
新一代ADM III（ATA Disk Module III）一般是專為工業(yè)/嵌入式計算機/精簡型計算機（Thin client）設(shè)計的模組式固態(tài)盤（SSD，Solid State Drive），面對應(yīng)用端對于儲存速度的需求日益提高，新一代的ADM III，最大的突破即在于速度提升，讀取速度高達35MB/s，寫入速度也達25MB/s，較第二代的產(chǎn)品速度提高3倍（ADM II讀取速度為11MB/s，寫入速度為7MB/s）。
所謂“低格”是指對一塊裸盤進行劃分磁道和扇區(qū)、標注地址信息、設(shè)置交叉因子、修復(fù)邏輯壞道等低層操作.“低格”需要用專門與硬盤配套的軟件，由于低格將可能損傷盤片磁介質(zhì)，一般沒有必要對硬盤進行這種操作。
硬盤技術(shù)的更新?lián)Q代，其中一個非常重要的技術(shù)就是磁頭技術(shù)，現(xiàn)在的硬盤單碟容量一般都在40GB以上，最高的單碟容量已經(jīng)達到了80GB或更高，以后硬盤的單碟容量還將繼續(xù)增大，對于單碟容量，它直接聯(lián)系的技術(shù)就是磁頭技術(shù)，磁頭技術(shù)越先進，硬盤的單碟容量就可以做得更高。目前硬盤技術(shù)的發(fā)展主要集中在速度、容量及可靠性三方面。Ultra-ATA100/133接口、GMR巨磁阻技術(shù)和S.M.A.R.T自我監(jiān)測分析和報告技術(shù)等各項技術(shù)已普遍為各大硬盤制造商所采用，這使得硬盤在傳輸率、單片存儲容量和監(jiān)測預(yù)告技術(shù)上較以往有了很大提高。硬盤的技術(shù)很多，大致來說就以上所說的那些比較關(guān)鍵，但除了這些外，還有一些不可忽視的技術(shù)，如硬盤數(shù)據(jù)保護技術(shù)及防震技術(shù)，它們也隨著硬盤的發(fā)展而不斷更新，但一般而言，不同硬盤廠商都有自己的一套硬盤保護技術(shù)，如邁拓的數(shù)據(jù)保護系統(tǒng)MaxSafe、震動保護系統(tǒng)ShockBlock；西部數(shù)據(jù)公司的數(shù)據(jù)保護系統(tǒng)Data SafeGuide（數(shù)據(jù)衛(wèi)士）等等。
我們知道，硬盤分區(qū)有三種，主磁盤分區(qū)、擴展磁盤分區(qū)、邏輯分區(qū)。一個硬盤可以有一個主分區(qū)，一個擴展分區(qū)，也可以只有一個主分區(qū)沒有擴展分區(qū)。邏輯分區(qū)可以若干。主分區(qū)是硬盤的啟動分區(qū)，他是獨立的，也是硬盤的第一個分區(qū)，正常分的話就是C驅(qū)。分出主分區(qū)后，其余的部分可以分成擴展分區(qū)，一般是剩下的部分全部分成擴展分區(qū)，也可以不全分，那剩的部分就浪費了。但擴展分區(qū)是不能直接用的，他是以邏輯分區(qū)的方式來使用的，所以說擴展分區(qū)可分成若干邏輯分區(qū)。他們的關(guān)系是包含的關(guān)系，所有的邏輯分區(qū)都是擴展分區(qū)的一部分。
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