7月29日美光與英特爾共同發(fā)表全新（NON-V）非揮發(fā)性內(nèi)存芯片3D XPoint消息在近日占據(jù)了各大IT頭條。其原因在于，3D XPoint是25年來引入市場的首個全新主流存儲芯片技術(shù)，可同時取代DRAM與NAND在運(yùn)算端的需求，不僅有高于DRAM 10倍的密度，更有比NAND Flash快千倍的速度。那3D XPoint究竟是什么？

全新架構(gòu)

名字里有個“3D”，還是來源于Micron，3D XPoint率先帶給人們的印象就是Micron自己3D SSD技術(shù)的升級版。不過，Micron CEO Mark Durcan說的清楚，這與現(xiàn)有SSD 的3D技術(shù)完全沒有關(guān)系，是全新的架構(gòu)。這或許意味著，即使你熟悉現(xiàn)在的3D SSD，或是AMD與Hynix聯(lián)合開發(fā)的HBM，對于 3D XPoint未必能夠理解。都是堆疊（packed），3D XPoint是全新的玩法，是獨(dú)立在DRAM與NAND以外的全新“Non-Volatile Memory Form Factor”，交叉點(diǎn)陣列結(jié)構(gòu)。

非晶體管存儲

如今SSD已經(jīng)發(fā)展的很是成熟，穩(wěn)定性、壽命、容量等都比此前有了極大的改善。當(dāng)人們已經(jīng)越發(fā)熟練掌握電子存儲并希望借助于此改革數(shù)據(jù)中心的時候，3D XPoint告訴大家自己不需要晶體管，而是儲存在架構(gòu)中字組線（word line）與位線（bit line）的交叉點(diǎn)上，系統(tǒng)因此得以單獨(dú)存取每個儲存單元，當(dāng)系統(tǒng)能以小單位讀取與寫入數(shù)據(jù)，讀寫程序?qū)⒆兊酶欤瑑?nèi)存儲存單元配置共 1,280 億個，且為可堆棧，目前初步技術(shù)堆棧至兩層、每個晶粒能儲存 128Gb，未來將持續(xù)發(fā)展更高層的堆棧技術(shù)增加儲存容量。

密度與顆粒度兼得

為了存儲更多數(shù)據(jù)，NAND選擇犧牲基于單個bit讀取的需要，但為了保障數(shù)據(jù)可靠性還加上了ECC校驗。如今，3D XPoint既可以實現(xiàn)單個die存儲128Gb的容量，還可以實現(xiàn)每個Cell的單個bit的讀取，因為可以給每個Cell提供不同的電壓。更令人驚奇的是，3D XPoint用的是傳統(tǒng)印刷電路方式?？磥?，3D XPoint解決了NAND 閃存在密度與更細(xì)顆粒度不可兼得的煩惱。

PCIe不夠用

想當(dāng)初NAND閃存初期之時，其與主機(jī)連接的傳輸速度大于自身傳輸速度，為此NAND開啟burst和Page模式。之后，隨著SSD在容量、速度上的改善，PCIe與主機(jī)連接成了優(yōu)先選項。如今，3D XPoint告訴大家PCIe不夠用了，當(dāng)前3D XPoint采用的PCIe方案只是臨時選項。這就意味著，下一步不但I(xiàn)ntel要拿出比PCIe 3.0更牛的方案出來，主板廠商們也要進(jìn)步了。

未來更廣的運(yùn)用

3D Xpoint基本上大幅降低了處理器與數(shù)據(jù)之間的延遲，預(yù)估未來也將有更多嶄新的運(yùn)用，拓展出機(jī)器學(xué)習(xí)、實時追蹤疾病以及超擬真 8K 游戲等發(fā)展。英特爾表示，3D Xpoint將于2015年稍晚送樣給特定客戶，而英特爾與美光目前已開始著手開發(fā)包含3D Xpoint 技術(shù)的相關(guān)產(chǎn)品。全球內(nèi)存存儲研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange 預(yù)估，初期3D Xpoint該將先出現(xiàn)于高階的服務(wù)器與商業(yè)應(yīng)用端。