PCRAM的概念

相變內(nèi)存（PCRAM）的英文是“Phase Change Random Access Memory”，簡稱“PCM”，是一種非易失性的內(nèi)存。相變內(nèi)存是新世代內(nèi)存（閃存）技術(shù)，國內(nèi)外多家廠商都紛紛對此項技術(shù)進(jìn)行開發(fā)。

目前PCRAM技術(shù)合作及研究成果的廠商（機構(gòu)）列表

PCRAM的優(yōu)點

組件特性方面，PCRAM融合了DRAM內(nèi)存的高速存取及flash閃存在關(guān)閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性，被視為未來內(nèi)存閃存的替代品。

制程方面，PCRAM屬于后段制程，容易與CMOS邏輯制程整合，不受組件微小化的規(guī)范，可以跨越制程可縮性的鴻溝，對于SoC與獨立內(nèi)存（Standalone）都有優(yōu)異的發(fā)展空間。

應(yīng)用方面，PCRAM可重復(fù)寫入10萬次以上，讀寫速度可達(dá)到現(xiàn)有閃存的1000倍，寫入電壓小于2V，讀取電壓小于1V，不需要復(fù)雜且高成本的升壓電路設(shè)計，具有低耗電和低電壓操作的特點，完全滿足可攜式電子產(chǎn)品的設(shè)計要求。

PCRAM的工作原理

PCRAM主要利用可逆相變材料晶態(tài)和非晶態(tài)的導(dǎo)電性差異實現(xiàn)存儲。與DRAM或flash的使用電子進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄與抹除不一樣，PCRAM使用可逆相變材料作為全新的記憶晶胞架構(gòu)，通過調(diào)整電流的大小與脈沖寬度，改變材料的結(jié)晶狀態(tài)，達(dá)成記錄或抹除數(shù)據(jù)的功能。

PCRAM操作方式圖