要說三通道內(nèi)存技術，我們可以追溯到雙通道內(nèi)存技術。雙通道內(nèi)存技術，就是在北橋(又稱之為GMH)芯片組里制作兩個內(nèi)存控制器，這兩個內(nèi)存控制器是可以相互獨立工作的。在這兩個內(nèi)存通道上，CPU可以分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，從而可以使內(nèi)存的帶寬增加一倍，數(shù)據(jù)存取速度也相應增加一倍(理論上是這樣)。

目前流行的雙通道DDR內(nèi)存構架是在兩個64bitDDR內(nèi)存控制器構筑而成的，其帶寬可以達到128bit，但工作方式不同于單通道128bit的內(nèi)存控制技術。因為雙通道體系的兩個內(nèi)存控制器是獨立的、具備互補性的智能內(nèi)存控制器，兩個內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零等待時間的情況下同時運作。例如：當控制器B準備進行下一次存取內(nèi)存的時候，控制器 A就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補“天性”可以讓有效等待時間縮減50%，從而使內(nèi)存的帶寬翻了一翻。這一技術的應用，對于整個PC系統(tǒng)還是有重要意義的，盡管不能做到在所有應用都有明顯的效果，但是在大多數(shù) 應用都可以實現(xiàn)比較不錯的效果，而且隨著硬件技術的發(fā)展，雙通道內(nèi)存技術的效果也開始凸顯。

三通道內(nèi)存技術，實際上可以看作是雙通道內(nèi)存技術的后續(xù)技術發(fā)展。Core i7處理器的三通道內(nèi)存技術，最高可以支持DDR3-1600內(nèi)存，可以提供高達38.4GB/s的高帶寬，和目前主流雙通道內(nèi)存20GB/s的帶寬相比，性能提升幾乎可以達到翻倍的效果。