BANK：BANK是指內(nèi)存插槽的計算單位(也有人稱為記憶庫)，它是計算機(jī)系統(tǒng)與內(nèi)存間資料匯流的基本運作單位。

內(nèi)存的速度：內(nèi)存的速度是以每筆CPU與內(nèi)存間數(shù)據(jù)處理耗費的時間來計算，為總線循環(huán)(bus cycle)以奈秒(ns)為單位。 

內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個記憶體芯片chips，而這內(nèi)存芯片通常是DRAM芯片，但近來系統(tǒng)設(shè)計也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在PC 的主機(jī)板上的專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上DRAM芯片(chips)的數(shù)量和個別芯片(chips)的容量，是決定內(nèi)存模塊的設(shè)計的主要因素。 

SIMM (Single In-line Memory Module)：電路板上面焊有數(shù)目不等的記憶IC，可分為以下2種型態(tài)：

72PIN：72腳位的單面內(nèi)存模塊是用來支持32位的數(shù)據(jù)處理量。

30PIN：30腳位的單面內(nèi)存模塊是用來支持8位的數(shù)據(jù)處理量。 

DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN）用來支持64位或是更寬的總線，而且只用3.3伏特的電壓，通常用在64位的桌上型計算機(jī)或是服務(wù)器。

RIMM：RIMM模塊是下一世代的內(nèi)存模塊主要規(guī)格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片組所支持的內(nèi)存模塊，其頻寬高達(dá)1.6Gbyte/sec。 

SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）： 這是一種改良型的DIMM模塊，比一般的DIMM模塊來得小，應(yīng)用于筆記型計算機(jī)、列表機(jī)、傳真機(jī)或是各種終端機(jī)等。 

PLL： 為鎖相回路,用來統(tǒng)一整合時脈訊號,使內(nèi)存能正確的存取資料。 

Rambus 內(nèi)存模塊 （184PIN）： 采用Direct RDRAM的內(nèi)存模塊，稱之為RIMM模塊，該模塊有184pin腳，資料的輸出方式為串行，與現(xiàn)行使用的DIMM模塊168pin，并列輸出的架構(gòu)有很大的差異。 

6層板和4層板(6 layers V.S. 4 layers)： 指的是電路印刷板PCB Printed Circuit Board用6層或4層的玻璃纖維做成，通常SDRAM會使用6層板，雖然會增加PCB的成本但卻可免除噪聲的干擾，而4層板雖可降低PCB的成本但效能較差。 

Register：是緩存器的意思,其功能是能夠在高速下達(dá)到同步的目的。 

SPD：為Serial Presence Detect 的縮寫，它是燒錄在EEPROM內(nèi)的碼，以往開機(jī)時BIOS必須偵測memory，但有了SPD就不必再去作偵測的動作，而由BIOS直接讀取 SPD取得內(nèi)存的相關(guān)資料。 

Parity和ECC的比較：同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯碼(error detection codes)上，他們增加一個檢查位給每個資料的字元(或字節(jié))，并且能夠偵測到一個字符中所有奇(偶)同位的錯誤，但Parity有一個缺點，當(dāng)計算機(jī)查到某個Byte有錯誤時，并不能確定錯誤在哪一個位，也就無法修正錯誤。

緩沖器和無緩沖器（Buffer V.S. Unbuffer）：有緩沖器的DIMM 是用來改善時序(timing)問題的一種方法無緩沖器的DIMM雖然可被設(shè)計用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條DIMM。若將無緩沖器的DIMM用于速度為100Mhz的主機(jī)板上的話，將會有存取不良的影響。而有緩沖器的DIMM則可使用四條以上的內(nèi)存，但是若使用的緩沖器速度不夠快的話會影響其執(zhí)行效果。換言之，有緩沖器的DIMM雖有速度變慢之虞，但它可以支持更多DIMM的使用。

自我充電 (Self-Refresh)：DRAM內(nèi)部具有獨立且內(nèi)建的充電電路于一定時間內(nèi)做自我充電，通常用在筆記型計算機(jī)或可攜式計算機(jī)等的省電需求高的計算機(jī)。 

預(yù)充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。例如CL=3，表示計算機(jī)系統(tǒng)自主存儲器讀取第一筆資料時，所需的準(zhǔn)備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準(zhǔn)備時間，相差一個時脈，對整個系統(tǒng)的效能并無顯著影響。 

時鐘信號 (Clock)：時鐘信號是提供給同步內(nèi)存做訊號同步之用，同步記憶體的存取動作必需與時鐘信號同步。 

電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合會議 (JEDEC)：JEDEC大部分是由從事設(shè)計、發(fā)明的制造業(yè)尤以有關(guān)計算機(jī)記憶模塊所組成的一個團(tuán)體財團(tuán)，一般工業(yè)所生產(chǎn)的記憶體產(chǎn)品大多以JEDEC所制定的標(biāo)準(zhǔn)為評量。 

只讀存儲器ROM (Read Only Memory)：ROM是一種只能讀取而不能寫入資料之記燱體，因為這個特所以最常見的就是主機(jī)板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統(tǒng)Basic Input/Output System)因為BISO是計算機(jī)開機(jī)必備的基本硬件設(shè)定用來與外圍做為低階通信接口，所以BISO之程式燒錄于ROM中以避免隨意被清除資料。 

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：為一種將資料寫入后即使在電源關(guān)閉的情況下，也可以保留一段相當(dāng)長的時間，且寫入資料時不需要另外提高電壓，只要寫入某一些句柄，就可以把資料寫入內(nèi)存中了。 

EPROM (Erasable Programmable ROM)：為一種可以tou過紫外線的照射將其內(nèi)部的資料清除掉之后，再用燒錄器之類的設(shè)備將資料燒錄進(jìn) EPROM內(nèi)，優(yōu)點為可以重復(fù)的燒錄資料。 

程序規(guī)畫的只讀存儲器 (PROM)：是一種可存程序的內(nèi)存，因為只能寫一次資料，所以它一旦被寫入資料若有錯誤，是無法改變的且無法再存其它資料，所以只要寫錯資料這顆內(nèi)存就無法回收重新使用。 

MASK ROM：是制造商為了要大量生產(chǎn)，事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM當(dāng)作樣本，然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣的 ROM，這一種做為大量生產(chǎn)的ROM樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠(yuǎn)無法做修改。 

隨機(jī)存取內(nèi)存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被讀取和寫入的內(nèi)存，我們在寫資料到RAM記憶體時也同時可從RAM讀取資料，這和ROM內(nèi)存有所不同。但是RAM必須由穩(wěn)定流暢的電力來保持它本身的穩(wěn)定性，所以一旦把電源關(guān)閉則原先在RAM里頭的資料將隨之消失。 

動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的縮寫，通常是計算機(jī)內(nèi)的主存儲器，它是而用電容來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，所以內(nèi)存內(nèi)的資料須持續(xù)地存取不然資料會不見。 

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良的DRAM，大多數(shù)為72IPN或30PIN的模塊，F(xiàn)PM 將記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)Pages，從512 bite 到數(shù) Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新讀取時，就可讀取各page內(nèi)的資料。 

EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDO的存取速度比傳統(tǒng)DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般為72PIN、168PIN的模塊。 

SDRAM：Synchronous DRAM 是一種新的DRAM架構(gòu)的技術(shù)；它運用晶片內(nèi)的clock使輸入及輸出能同步進(jìn)行。所謂clock同步是指記憶體時脈與CPU的時脈能同步存取資料。SDRAM節(jié)省執(zhí)行指令及數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間，故可提升計算機(jī)效率。

DDR：DDR 是一種更高速的同步內(nèi)存，DDR SDRAM為168PIN的DIMM模塊，它比SDRAM的傳輸速率更快， DDR的設(shè)計是應(yīng)用在服務(wù)器、工作站及數(shù)據(jù)傳輸?shù)容^高速需求之系統(tǒng)。

DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有的研發(fā)成果與DDR整合之后的未來新標(biāo)準(zhǔn)。DDRII的詳細(xì)規(guī)格目前尚未確定。 

DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)之一，由Rambus 公司所設(shè)計發(fā)展出來，是將所有的接腳都連結(jié)到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。 

RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司獨立設(shè)計完成，它的速度約一般DRAM的10倍以上，雖有這樣強(qiáng)的效能，但使用后內(nèi)存控制器需要相當(dāng)大的改變，所以目前這一類的內(nèi)存大多使用在游戲機(jī)器或者專業(yè)的圖形加速適配卡上。 

VRAM (Video RAM)：與DRAM最大的不同在于其有兩組輸出及輸入口，所以可以同時一邊讀入，一邊輸出資料。 

WRAM (Window RAM)：屬于VRAM的改良版，其不同之處在于其控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，并采用EDO的資料存取模式。 

MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM 的內(nèi)部分成數(shù)個各別不同的小儲存庫 (BANK)，也就是數(shù)個屬立的小單位矩陣所構(gòu)成。每個儲存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，其應(yīng)用于高速顯示卡或加速卡中。 

靜態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是Static Random Access Memory 的縮寫，通常比一般的動態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定。所謂靜態(tài)的意義是指內(nèi)存資料可以常駐而不須隨時存取。因為此種特性，靜態(tài)隨機(jī)處理內(nèi)存通常被用來做高速緩存。 

Async SRAM：為異步SRAM這是一種較為舊型的SRAM，通常被用于電腦上的 Level 2 Cache上，它在運作時獨立于計算機(jī)的系統(tǒng)時脈外。 

Sync SRAM：為同步SRAM，它的工作時脈與系統(tǒng)是同步的。 

SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以區(qū)塊Block為單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內(nèi)存整體讀寫的次數(shù)增加繪圖控制器。 

高速緩存 (Cache Ram)：為一種高速度的內(nèi)存是被設(shè)計用來處理運作CPU?？烊∮洃涹w是利用 SRAM 的顆粒來做內(nèi)存。因連接方式不同可分為一是外接方式(External)另一種為內(nèi)接方式(Internal)。外接方式是將內(nèi)存放在主機(jī)板上也稱為Level 1 Cache而內(nèi)接方式是將內(nèi)存放在CPU中稱為Level 2 Cache。 

PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一種標(biāo)準(zhǔn)的卡片型擴(kuò)充接口，多半用于筆記型計算機(jī)上或是其它外圍產(chǎn)品，其種類可以分為：

Type 1：3.3mm的厚度，常作成SRAM、Flash RAM 的記憶卡以及最近打印機(jī)所使用的DRAM記憶卡。

Type 2：5.5mm的厚度，通常設(shè)計為筆記計算機(jī)所使用的調(diào)制解調(diào)器接口(Modem)。

Type 3：10.5mm的厚度，被運用為連接硬盤的ATA接口。

Type 4：小型的PCMCIA卡，大部用于數(shù)字相機(jī)。 

FLASH：Flash內(nèi)存比較像是一種儲存裝置，因為當(dāng)電源關(guān)掉后儲存在Flash內(nèi)存中的資料并不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然后才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。 

重新標(biāo)示過的內(nèi)存模塊（Remark Memory Module）：在內(nèi)存市場許多商家都會販?zhǔn)壑匦聵?biāo)示過的內(nèi)存模塊，所謂重新標(biāo)示過的內(nèi)存模塊就是將芯片Chip上的標(biāo)示變更過，使其所顯示出錯誤的訊息以提供商家賺取更多的利潤。一般說來，業(yè)者會標(biāo)示成較快的速度將( -7改成-6)或?qū)]有廠牌的改為有廠牌的。要避免購買到這方面的產(chǎn)品，最佳的方法就是向好聲譽(yù)的供貨商來購買頂級芯片制造商產(chǎn)品。 

內(nèi)存的充電 (Refresh)：主存儲器是DRAM組合而成，其電容需不斷充電以保持資料的正確。一般有2K與4K Refresh的分類，而2K比4K有較快速的Refresh但2K比4K耗電。