DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

此外，由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個(gè)人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術(shù)的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內(nèi)存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對(duì)內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢(shì)所趨。要注意的是：DDR2不兼容DDR，除非主板標(biāo)明同時(shí)支持。

業(yè)界正式內(nèi)存規(guī)格是由JEDEC-- Joint Electronioc Device Engineering Council制定的，這包括了DDR、DDR2以及準(zhǔn)備推出的DDR3，在官方規(guī)格中DDR最高速度為DDR400，但由于制程進(jìn)步，DDR的速度已經(jīng)完全超越了官方原定標(biāo)準(zhǔn)，故此后期出現(xiàn)了超高速DDR566并非官方規(guī)格。

繼DDR400之后，JEDEC已認(rèn)定DDR2為現(xiàn)時(shí)主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，雖然名字上只差毫厘，但DDR2和DDR2是完全不兼容的，首先DDR2的為240Pin接口比DDR的184Pin長(zhǎng)，另外電壓也比DDR的2.5v低許多，在1.8v的同頻率下DDR2可比DDR低一半功耗，高頻低功耗是DDR2內(nèi)存的優(yōu)點(diǎn)，而缺點(diǎn)則是DDR的延遲值比較高，在同頻率下效能較低。

不單在規(guī)格上不兼容，其實(shí)DDR和DDR2在技術(shù)上有得大分別。我們用的內(nèi)存是透過不停充電及放電的動(dòng)作記錄數(shù)據(jù)的，上代SDRAM內(nèi)存的核心頻率就相等于傳送速度，而每一個(gè)Mhz只會(huì)有傳送1 Bit的數(shù)據(jù)，采用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的頻寬為100Mbps。但隨著系統(tǒng)內(nèi)部組件速度提升，對(duì)內(nèi)存速度的要求增加，單純提升內(nèi)存頻率已經(jīng)不能應(yīng)付需求，幸好及時(shí)發(fā)展出DDR技術(shù)。

DDR與SDRAM的分別在于傳統(tǒng)SDRAM只能于充電那一刻存取數(shù)據(jù)，故此每一下充電放電的動(dòng)作，只能讀寫一次，而DDR卻把技術(shù)提升至在充電及放電時(shí)都能存取數(shù)據(jù)，故此每Mhz有兩次存取動(dòng)作，故此DDR會(huì)比SDRAM在同一頻率下效能提高一倍，而100Mhz的DDR卻可達(dá)至200Mbps存取速度，由于每一個(gè)Mhz都要有二次的資料存取，故此DDR每一Mhz會(huì)傳送2Bit，稱為2Bit Prefetch，而DDR顆粒頻率每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的兩倍。

而DDR 2則是承繼DDR并作出改良，同樣能在每一次充電放電時(shí)都能存取，但DDR 2卻改良了I/O Buffer部份，以往內(nèi)存顆粒的頻率相等于I/O Buffer的頻率，但DDR2的I/O Buffer會(huì)被提升至內(nèi)存核心頻率的一倍，而DDR 2內(nèi)存會(huì)在每一個(gè)Mhz傳送4Bit的數(shù)據(jù)給I/O Buffer，比DDR每筆傳送2Bit多一倍，故此在同一內(nèi)存核心頻率下，DDR 2的內(nèi)存會(huì)比DDR速度快一倍，這技術(shù)稱為4Bit Prefetch。DDR 2未來提升速度的空間會(huì)比DDR強(qiáng)，因?yàn)槊刻嵘? Mhz DRAM的頻率，所得到的效果卻是傳統(tǒng)SDRAM的四倍。不過我們經(jīng)常提及DDR2的頻率是Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR2 533的頻率還是266Mhz。