FPM DRAM是FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM）的簡稱。也就是快頁內(nèi)存。是一種在486時期被普遍應(yīng)用的內(nèi)存。72線、5V電壓、帶寬32bit、基本速度60ns以上。它的讀取周期是從DRAM陣列中某一行的觸發(fā)開始，然后移至內(nèi)存地址所指位置，即包含所需要的數(shù)據(jù)。第一條信息必須被證實有效后存至系統(tǒng)，才能為下一個周期作好準(zhǔn)備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，因為CPU必須傻傻的等待內(nèi)存完成一個周期。隨著性能/價格比更高的EDO DRAM的出現(xiàn)和應(yīng)用，它只好退出市場。之所以稱之為快頁內(nèi)存，因為它以4字節(jié)突發(fā)模式傳送數(shù)據(jù)，這4個字節(jié)來自同一列或者說同一頁。FPM DRAM如果要突發(fā)4個字節(jié)的數(shù)據(jù)，它依然需要依次的讀取每一個字節(jié)的數(shù)據(jù)：

1、首先行地址被傳送到行地址引腳，在/RAS引腳被激活之前，RAS處于預(yù)充電狀態(tài)，CAS也處于預(yù)充電狀態(tài)，當(dāng)然/WE此時依然是高電平，F(xiàn)PM至少知道自己不會進(jìn)行寫操作。

2、/RAS引腳被賦予低電平而被激活，行地址被送到行地址選通器，然后選擇正確的行送到傳感放大器，就在/RAS引腳被激活的同時，tRAC開始計時。

3、CAS一直處于預(yù)充電狀態(tài)，直到列地址被傳送到列地址引腳并且/CAS引腳得到一個低電平而被激活（tCRC時間開始計時），然后下面的事情我們也應(yīng)該很清楚了，列地址被送到列地址選通器，然后需要讀取的數(shù)據(jù)位置被鎖定，這個時候Dout引腳被激活，第一組數(shù)據(jù)就被傳送到數(shù)據(jù)總線上。

4、對于原來介紹的DRAM，這個時候一個讀取周期就結(jié)束了，不過對于FPM則不同，在傳送第一組數(shù)據(jù)期間，CAS失活（RAS依然保持著激活狀態(tài)）并且進(jìn)入預(yù)充電狀態(tài)，等待第二組列地址被傳送到列地址引腳，然后進(jìn)行第二組數(shù)據(jù)的傳輸，如此周而復(fù)始直至4組數(shù)據(jù)全部找到并且傳輸完畢。

5、當(dāng)?shù)谒慕M數(shù)據(jù)開始傳送的時候，RAS和CAS相繼失活進(jìn)入到預(yù)充電狀態(tài)，這樣FPM的一個完整的讀取周期方告結(jié)束。FPM之所以能夠?qū)崿F(xiàn)這樣的傳輸模式，就是因為所需要讀取的4個字節(jié)的行地址是相同的但是列地址不同，所以它們不必為了得到一個相同的列地址而去做重復(fù)的工作。

6、這樣的工作模式顯然相對于普通的DRAM模式節(jié)省了很多的時間，特別是節(jié)省了3次RAS預(yù)充電的時間和3個tRAC時間，從而進(jìn)一步提高的效率。