目前，DDR2內(nèi)存在市場上如火如荼，如日中天。但是DDR2也不是沒有缺陷的。隨著技術(shù)的更新，人們更多的期望DDR3內(nèi)存能替代DDR2，成為市場的寵兒。那么DDR2與DDR3的差異在哪？

1.  DDR3 采8 bit 預(yù)取設(shè)計(jì)，較 DDR2 4bit 的預(yù)取設(shè)計(jì)為倍數(shù)成長，運(yùn)算頻率介于 800MHz -2100MHz 。

2.  DDR3 的規(guī)格要求將電壓控制在 1.5V ，比 DDR2 的 1.8V 更為省電。

3.  DDR3 采用 ASR(Automatic self-refresh) 的設(shè)計(jì)，以確保在數(shù)據(jù)不遺失情況下，盡量減少更新頻率來降低溫度。

4.  DDR2 為 0.11um 制程上生產(chǎn)， DDR3 估計(jì)會在 90nm或65nm的制程上量產(chǎn)。

5.  DDR3采用點(diǎn)對點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。

僅從技術(shù)角度上分析，DDR3取代DDR2指日可待。